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VBE16R01

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=600V;ID =1A;RDS(ON)=8000mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=10000mΩ@VGS=4.5V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于设计各种类型的低功率电源管理模块,包括稳压器、开关电源和DC-DC变换器。
供应商型号: VBE16R01 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE16R01

VBE16R01概述


    产品简介


    Power MOSFET(功率MOS场效应晶体管)
    VBM16R01 / VBMB16R01 和 VBE16R01 / VBFB16R01
    Power MOSFET(功率MOS场效应晶体管)是一种用于开关和放大电路的关键电子元器件。它广泛应用于电力电子系统,例如电源转换器、电机驱动、电动汽车等领域。这些产品采用O-220AB和TO-252封装形式,具备出色的动态特性和高可靠性。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | : | : | : | : | : | : |
    | 漏源电压 | VDS | - | 600 | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 | - | - | V |
    | 持续漏电流 | ID | - | 1.0 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 74 | - | mJ |
    | 重复雪崩电流 | IAR | - | 2.0 | - | A |
    | 重复雪崩能量 | EAR | - | 4.2 | - | mJ |
    | 最大功耗 | PD | - | 42 | - | W |
    | 最大结温 | TJ, Tstg | -55 | +150 | - | °C |

    产品特点和优势


    1. 低功耗:得益于低漏电和高阈值电压,能够显著减少功率损耗。
    2. 快速开关:具备优异的开关速度,适合高频应用。
    3. 高可靠性:经过严格测试,适用于苛刻的工作环境。
    4. 易于并联:独特的设计允许多个器件并联使用,提供更大的电流容量。
    5. 无卤素和RoHS认证:符合国际环保标准,降低对环境的影响。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这些MOSFET被广泛应用于电源管理领域,如开关电源、DC-DC转换器。具体来说,它们在高压环境中表现出色,尤其是在需要高效能开关的场合,如逆变器和电机驱动。
    使用建议
    1. 在设计电路时,务必确保栅极电阻的选择能够满足器件的开关速度要求。
    2. 考虑到散热需求,选择合适的散热器以保证MOSFET在额定温度范围内正常工作。
    3. 对于重复雪崩情况,确保电路设计能够有效保护MOSFET免受损坏。

    兼容性和支持


    该产品与其他标准组件具有良好的兼容性,适用于大多数现有系统。厂商提供全面的技术支持,包括详细的安装指南、故障排除手册以及在线技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何防止过热?
    - 解决办法:使用适当的散热措施,例如增加散热片或使用风扇进行强制冷却。
    2. 问题:如何提高开关频率?
    - 解决办法:减小栅极电阻以加快开关速度,但需注意不能过小以免导致浪涌电流过大。
    3. 问题:如何避免重复雪崩?
    - 解决办法:设计电路时确保限流电阻和其他保护机制的有效性,以限制电流上升率。

    总结和推荐


    VBM16R01 / VBMB16R01 和 VBE16R01 / VBFB16R01 系列Power MOSFET凭借其出色的性能和高可靠性,在高压开关应用中表现卓越。这些器件易于并联使用,且具有快速开关和低功耗的优势。对于需要高效能开关的系统,强烈推荐使用这些产品。通过合理的设计和良好的散热措施,这些器件可以提供长期稳定的性能,值得信赖。

VBE16R01参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 8Ω(mΩ)
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 1A
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE16R01厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE16R01数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE16R01 VBE16R01数据手册

VBE16R01封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
2500+ ¥ 1.6556
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型号 价格(含增值税)
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