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IRFR460TRLPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=500V;ID =14A;RDS(ON)=290mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于需要高电压、高电流和高效率的应用领域,包括但不限于工业电源、电动车辆、太阳能逆变器和工业自动化等。
供应商型号: IRFR460TRLPBF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR460TRLPBF-VB

IRFR460TRLPBF-VB概述

    IRFR460TRLPBF N-Channel 500-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFR460TRLPBF 是一款高性能的 N-通道 500V 超结 MOSFET,主要应用于计算(如 PC 银盒 / ATX 电源供应)等领域。这款 MOSFET 在低导通电阻(Ron)和低输入电容(Ciss)方面表现出色,适合于高效率开关应用。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 最大值 500V
    - 门源电压 \( V{GS} \): ±30V
    - 电流参数:
    - 持续漏极电流 \( ID \):
    - TC = 25°C: 14.5A
    - TC = 100°C: 9.2A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 28A
    - 静态特性:
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10V \): 最大值 0.243Ω
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1162pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 51pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 7pF
    - 动态特性:
    - 总门电荷 \( Qg \):
    - \( V{GS} = 10V \): 33nC 至 66nC
    - 门源电荷 \( Q{gs} \): 8nC
    - 门漏电荷 \( Q{gd} \): 14nC
    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \): 62°C/W
    - 最大结到壳体(漏)热阻 \( R{thJC} \): 0.8°C/W
    - 可靠性:
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 136mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \): 156W
    - 操作结温及存储温度范围 \( TJ, T{stg} \): -55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:\( R{DS(on)} \) 低至 0.243Ω,降低了导通损耗。
    - 低门电荷:总门电荷 \( Qg \) 低至 33nC 至 66nC,减小了开关损耗。
    - 低输入电容:\( C{iss} \) 低至 1162pF,减少了门极驱动功耗。
    - 高可靠性和耐高温性:最大结温达到 150°C,适用于严苛的应用环境。
    - 超结技术:提供了高耐压能力和高效能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRFR460TRLPBF 主要应用于计算领域,特别是在 PC 银盒和 ATX 电源供应中。由于其低导通电阻和高可靠性的特性,这些应用能够显著提高电源转换效率并延长系统寿命。
    使用建议
    - 散热管理:考虑到最高功率耗散为 156W,应确保适当的散热措施,以防止过热。
    - 门极驱动设计:建议使用适当的门极电阻来限制门极驱动电流,以避免过高的瞬态电压对 MOSFET 的损害。
    - 热阻考虑:选择合适尺寸的散热片,确保结到环境热阻 \( R{thJA} \) 在可接受范围内。

    兼容性和支持


    IRFR460TRLPBF 采用 TO-220AB 封装,可以方便地安装在标准散热片上。制造商提供了详细的热管理和门极驱动电路设计指导,帮助用户更好地集成和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确安装 TO-220AB 封装的 MOSFET?
    - 解决方案:确保引脚正确插入插座,并且引脚焊接牢固。同时注意保持适当的焊接温度和时间。
    2. 问题:如何优化散热以提高长期可靠性?
    - 解决方案:使用足够大的散热片,并保证良好的热传导路径。可以选择散热膏或垫片来进一步提高散热效果。
    3. 问题:如何确定门极电阻的阻值?
    - 解决方案:参考厂商提供的门极驱动电路图,根据门极电荷 \( Qg \) 和允许的最大开关时间选择合适的门极电阻。

    总结和推荐


    IRFR460TRLPBF 在其同类产品中表现出色,具备低导通电阻、低门电荷和高可靠性的特点。它特别适合高效率电源转换和高功率密度应用。我们强烈推荐使用此器件,尤其是在需要高可靠性和低功耗的应用中。在使用过程中,请确保遵循制造商的指导和最佳实践,以获得最佳性能和长期可靠性。

IRFR460TRLPBF-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 290mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Id-连续漏极电流 14A
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR460TRLPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR460TRLPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR460TRLPBF-VB IRFR460TRLPBF-VB数据手册

IRFR460TRLPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.0526
100+ ¥ 4.6783
500+ ¥ 4.3041
2500+ ¥ 4.1169
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