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NCE70R540F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=700V;ID =10A;RDS(ON)=390mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于LED照明驱动器和开关电源模块,以实现高效、可靠的LED照明系统。
供应商型号: NCE70R540F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE70R540F-VB

NCE70R540F-VB概述

    N-Cha (D-S) Super Junction Power MOSFET NCE70R540F 技术手册

    产品简介


    NCE70R540F 是一款高性能的N沟道(D-S)超级结功率MOSFET。这种器件以其低通态电阻(Ron)和超低栅极电荷(Qg)而闻名,特别适用于高效率电源转换的应用场合。NCE70R540F的主要功能包括极低的比导通损耗(FOM)、低输入电容(Ciss),以及出色的开关性能。它的主要应用领域涵盖服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC),以及照明(如高强度放电灯HID和荧光灯)和工业应用。

    技术参数


    以下是NCE70R540F的技术规格:
    - 最大漏源电压(VDS): 700V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 最大值0.5Ω (在VGS=10V, ID=5A条件下)
    - 总栅极电荷(Qg): 最大值38nC (在VGS=10V, ID=5A, VDS=520V条件下)
    - 栅源电荷(Qgs): 4nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 4.2nC
    - 连续漏极电流(ID): 在TJ=150°C时为10A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 132mJ
    - 工作温度范围: TJ, Tstg -55°C 至 +150°C
    - 极限条件下的最大耗散功率(PD): 83/83/31W

    产品特点和优势


    NCE70R540F 的主要特点如下:
    - 低比导通损耗: Ron x Qg的数值非常低,使得这款MOSFET在高效率转换中有出色的表现。
    - 低输入电容: Ciss的数值较低,有助于减少开关过程中的损耗。
    - 快速开关性能: 具备优秀的反向恢复特性和超低栅极电荷,使其非常适合高频应用。
    - 高可靠性: 可承受单脉冲雪崩能量,保证了器件在极端条件下的稳定性。
    这些特点使NCE70R540F成为电源设计的理想选择,特别是在需要高效能和可靠性的场合。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应: NCE70R540F可帮助提升电源转换效率,降低整体功耗。
    - 开关模式电源(SMPS): 其快速的开关特性可以有效减小磁性元件的尺寸,从而减小整个电路板的体积。
    - 工业应用: NCE70R540F的高可靠性使其适合各种严苛环境下的应用。
    使用建议:
    1. 布局考虑: 确保合理布局以降低寄生电感和电容的影响。
    2. 散热管理: 设计良好的散热方案,确保工作温度在合理范围内。
    3. 匹配驱动: 选择合适的驱动器以保证最佳性能。

    兼容性和支持


    NCE70R540F 与市场上主流的SMPS控制器和其他电源管理芯片高度兼容。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的文档资料和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问: 如何判断MOSFET是否损坏?
    - 解: 使用万用表测量RDS(on)或进行基本的特性测试。如果RDS(on)明显增大或无法正常关断,则可能损坏。

    2. 问: 驱动电压如何选择?
    - 解: 推荐使用VGS = 10V,可以保证MOSFET在正常工作范围内。

    总结和推荐


    NCE70R540F凭借其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性,在电源转换领域表现出色。无论是对于提高服务器电源效率还是改进工业控制系统的可靠性,它都是一个理想的选择。强烈推荐此款产品用于需要高效率和可靠性的应用环境中。
    本手册涵盖了NCE70R540F的详细信息,旨在帮助工程师更好地理解和应用这一高性能功率MOSFET。如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

NCE70R540F-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 700V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 -
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 390mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NCE70R540F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE70R540F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE70R540F-VB NCE70R540F-VB数据手册

NCE70R540F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.4139
100+ ¥ 5.9388
500+ ¥ 5.7012
1000+ ¥ 5.4637
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