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IRL3714L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=30V;ID =90A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=7mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.7V;适合用于需要大电流和低压降的场合。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于高频率和高功率的电路应用。
供应商型号: IRL3714L-VB TO262
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRL3714L-VB

IRL3714L-VB概述

    IRL3714L-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRL3714L-VB 是一款来自VBsemi公司的高性能N沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品采用先进的TrenchFET®技术,广泛应用于服务器电源管理、直流/直流转换以及系统保护等领域。由于其低导通电阻和高可靠性,它在多种电力管理和控制系统中表现出色。

    技术参数


    - 基本电气特性:
    - 漏源电压(VDS): 30V
    - 最大栅源电压(VGS): ±20V
    - 漏极连续电流(ID): 90A (TC = 25°C),70A (TC = 70°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IMD): 300A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 104mJ
    - 最大功率耗散(PD): 250W (TC = 25°C),175W (TC = 70°C)
    - 热阻参数:
    - 最大结至环境热阻(RthJA): 32°C/W (最大)
    - 最大结至外壳热阻(RthJC): 0.5°C/W (典型值)
    - 其他参数:
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.0034Ω (VGS = 10V, ID = 20A), 0.0070Ω (VGS = 4.5V, ID = 20A)
    - 输入电容(Ciss): 3500pF (VDS = 15V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容(Coss): 1725pF
    - 转移电容(Crss): 970pF

    产品特点和优势


    1. TrenchFET®技术: 采用先进的TrenchFET®技术,使得器件具有更低的导通电阻和更高的开关速度。
    2. 100% Rg和UIS测试: 所有器件经过100%的栅极电阻和雪崩耐受性测试,确保高可靠性和稳定性。
    3. 符合RoHS标准: 完全符合欧盟RoHS指令2011/65/EU,环保且无铅化。
    4. 优异的热管理能力: 极低的热阻确保良好的散热性能,适合于长时间工作条件下的应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - OR-ing: 在电源管理系统中,可以用于防止反向电流流入系统。
    - 服务器: 作为服务器电源管理的一部分,用于实现高效的电源转换和电流控制。
    - DC/DC转换器: 在各种直流到直流转换应用中,提高转换效率和可靠性。
    - 使用建议:
    - 确保正确安装和散热设计以充分利用器件的性能,特别是在高功率应用中。
    - 注意最大额定值,避免超出器件的绝对最大额定值,以免造成损坏。
    - 使用适当的栅极驱动电路以优化开关特性和减少损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IRL3714L-VB具有标准的TO-262封装,易于集成到现有系统中。它与其他类似的N沟道MOSFET具有良好的互换性。
    - 技术支持: VBsemi公司提供全面的技术支持,包括应用指南和样品申请服务,以帮助客户更好地使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 我应该如何处理过载情况?
    - A: 使用外部保护电路(如保险丝)来限制电流,并确保散热系统的有效性。

    - Q: 开关过程中为什么会发热?
    - A: 选择合适的栅极驱动器并使用热沉或散热片以增强散热效果。确保工作环境温度不超出推荐范围。

    总结和推荐


    IRL3714L-VB是一款性能优越的N沟道MOSFET,适用于多种高压电力转换和管理系统。其低导通电阻、高可靠性和出色的热管理能力使其在许多应用中表现突出。对于需要高效、可靠电力转换和控制的应用,我们强烈推荐使用这款产品。

IRL3714L-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ(mΩ)
配置 -
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 90A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 3.2mm*3.2mm*800μm
通用封装 TO-262
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRL3714L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRL3714L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRL3714L-VB IRL3714L-VB数据手册

IRL3714L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
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