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IPD60R380C6-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=650V;ID =11A;RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于太阳能逆变器、UPS逆变器等高压电源转换应用,提供稳定的功率转换和可靠的性能。
供应商型号: IPD60R380C6-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD60R380C6-VB

IPD60R380C6-VB概述

    IPD60R380C6 N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    IPD60R380C6 是一款N沟道650V超级结功率MOSFET,具备低导通电阻(Ron)和低门极电荷(Qg)。该器件适用于多种高效率电源应用,如服务器和电信电源供应器、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明系统。此外,它也广泛应用于工业领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 标称值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 650 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.42 | Ω |
    | 门极电荷 (Qg) | 38 | nC |
    | 门极源极电荷 (Qgs) | 4 | nC |
    | 门极漏极电荷 (Qgd) | 4.2 | nC |
    | 最大脉冲漏电流 (IDM) | 55 | A |
    | 反向恢复时间 (trr) | 270 | ns |
    | 反向恢复电荷 (Qrr) | 3.3 | μC |

    3. 产品特点和优势


    - 低FOM(Ron x Qg): 这个参数代表了导通电阻和门极电荷的乘积,是衡量MOSFET性能的重要指标。低FOM意味着更低的损耗和更高的效率。
    - 低输入电容 (Ciss): 有助于减少门极驱动电路的损耗。
    - 超低门极电荷 (Qg): 降低开关损耗,提高效率。
    - 雪崩能量等级 (UIS): 提供更好的保护,确保在极端条件下的可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 在服务器和电信电源中,IPD60R380C6可以用于高效电源转换,减少能源浪费。
    - 在照明系统中,如高亮度放电灯和荧光灯泡,提供快速响应和高能效的控制。

    - 使用建议:
    - 在设计时需要考虑散热问题,以确保长期稳定运行。
    - 采用低杂散电感的电路布局,以减少EMI干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: IPD60R380C6 支持标准的T0-220AB和T0-252封装,易于集成到现有的设计中。
    - 支持: 提供详细的技术文档和专业的技术支持团队,以帮助客户解决问题并优化性能。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 确保使用合适的门极电阻 (Rg) 来优化开关速度。 |
    | 热失控 | 使用散热片并保持良好的热管理。 |
    | 高温环境下运行不稳定 | 选择适当的降额操作以保证器件的安全工作范围。 |

    7. 总结和推荐


    IPD60R380C6 是一款出色的N沟道650V超级结功率MOSFET,具有低导通电阻、低门极电荷和高可靠性的特点。它非常适合应用于各种高效率电源系统,特别是在需要高能效和紧凑尺寸的应用场景中。因此,强烈推荐在高效率电源设计中使用这款器件。

IPD60R380C6-VB参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 11A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 370mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD60R380C6-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD60R380C6-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD60R380C6-VB IPD60R380C6-VB数据手册

IPD60R380C6-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.1395
2500+ ¥ 3.9595
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