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FMH22N60S1FD-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =20A;RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在工业自动化领域,可用于控制器、伺服驱动器和工业电源等设备,以实现高效能源转换和精确控制。
供应商型号: FMH22N60S1FD-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FMH22N60S1FD-VB

FMH22N60S1FD-VB概述

    FMH22N60S1FD-VB 650V N-Channel Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    FMH22N60S1FD-VB 是一款 650V 的 N-通道超级结 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高功率应用。这种 MOSFET 具备低导通电阻和高耐压能力,能够显著降低开关损耗和提高效率。它的主要功能包括高效能的开关操作,广泛应用于电信、照明、消费电子、工业控制和可再生能源等领域。

    技术参数


    以下是 FMH22N60S1FD-VB 的主要技术参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 最大连续漏电流 (ID):25°C 时为 2A,100°C 时为 13A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):53A
    - 最大功率耗散 (PD):208W
    - 最大单次雪崩能量 (EAS):367mJ
    - 最大结温 (TJ):150°C
    - 最小栅极阈值电压 (VGS(th)):2V
    - 最大栅极泄漏电流 (IGSS):±100nA
    - 最大栅极输入电阻 (Rg):0.78Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):71nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):14nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):33nC

    产品特点和优势


    FMH22N60S1FD-VB 具有以下独特功能和优势:
    - 低开关损耗:通过减少反向恢复时间和充电时间来降低开关损耗。
    - 低门极电荷:门极电荷仅为 71nC,减少了驱动电路的负担。
    - 高性能:漏源导通电阻仅为 0.19Ω,确保高效的电力转换。
    - 可靠性:具备高重复雪崩能量等级,适用于恶劣的工作环境。
    - 快速开关:具有快速的开关速度,适用于高频应用场合。

    应用案例和使用建议


    FMH22N60S1FD-VB 广泛应用于各种场合,例如:
    - 电信电源:服务器和通信电源,可以提高电源供应的效率。
    - 照明系统:高亮度放电灯和荧光灯照明系统,能够有效控制和调节光源。
    - 消费电子产品:ATX 电源供应器,可以提高电源转换效率。
    - 工业设备:焊接机和电池充电器,能够提供可靠的电力控制。
    - 可再生能源:太阳能光伏逆变器,能够有效地将直流电转换成交流电。
    - 开关电源:用于各类开关模式电源,提高整体系统效率。
    使用建议:
    1. 散热管理:确保良好的散热设计,避免过热损坏。
    2. 电路布局:减少寄生电感,使用地平面以降低电磁干扰。
    3. 测试条件:进行严格的测试验证,确保其在特定应用中的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    FMH22N60S1FD-VB 与多数常见的电子元件和设备兼容,适用于各种电路板设计。制造商提供了详细的技术支持和服务,确保客户在使用过程中得到及时有效的帮助。此外,制造商还提供了详细的文档和应用指南,便于用户进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开关频率过高导致门极电荷增加。
    解决方案:选择合适的门极电阻,降低门极电荷,减少开关损耗。

    2. 问题:过高的工作温度导致器件失效。
    解决方案:加强散热设计,使用散热片或散热风扇,确保器件在安全温度范围内运行。
    3. 问题:驱动信号不稳定导致导通不完全。
    解决方案:使用高质量的驱动电路,确保稳定的驱动信号。

    总结和推荐


    综上所述,FMH22N60S1FD-VB 是一款性能优异的 N-通道超级结 MOSFET,适用于多种高功率应用场合。它具有低开关损耗、快速响应和高可靠性的特点,在多种应用场景中表现出色。对于需要高效能电力转换的应用来说,这是一款值得推荐的产品。

FMH22N60S1FD-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Id-连续漏极电流 20A
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FMH22N60S1FD-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FMH22N60S1FD-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FMH22N60S1FD-VB FMH22N60S1FD-VB数据手册

FMH22N60S1FD-VB封装设计

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500+ ¥ 9.1693
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