处理中...

首页  >  产品百科  >  HM3N40R-VB

HM3N40R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOT223;N沟道;VDS=650V;ID =4A;RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=2500mΩ@VGS=4.5V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在汽车电子系统中,如车载电源管理、车灯控制等方面有应用。
供应商型号: HM3N40R-VB SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM3N40R-VB

HM3N40R-VB概述

    HM3N40R Power MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    HM3N40R 是一款高压N沟道功率MOSFET,适用于多种高效率电力转换应用。该MOSFET具有低门极电荷(Qg)和改进的门极、雪崩和动态dv/dt耐受性,使其适用于简单的驱动需求和严苛的应用环境。该产品完全符合RoHS指令2002/95/EC,确保环保且符合国际标准。

    2. 技术参数


    - VDS(漏源电压): 650 V
    - RDS(on)(导通电阻): VGS = 10 V 时 2.1 Ω
    - Qg(总门极电荷): 48 nC
    - Qgs(门源电荷): 12 nC
    - Qgd(门漏电荷): 19 nC
    - 配置: 单管
    - 绝对最大额定值:
    - VDS:650 V
    - VGS:±30 V
    - 连续漏极电流(VGS = 10 V):25 °C 时 3.0 A
    - 脉冲漏极电流:16 A
    - 最大功耗:25 °C 时 60 W
    - 最大结温:150 °C
    - 溶锡温度:300 °C(峰值)

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷:简化驱动需求,减少功率损耗。
    - 增强的耐用性:提高门极、雪崩和动态dv/dt的耐受性。
    - 全面的电容和雪崩参数:确保可靠性。
    - 符合RoHS标准:环保材料,符合欧盟标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于工业电源、电机驱动、开关电源等场合。例如,在工业电源中用于控制功率输出。
    - 使用建议:在设计电路时,应考虑门极驱动的要求,确保门极电荷不会过高,以减少能耗。同时,应注意散热,避免因过热导致性能下降。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET适用于大多数高压电路设计,与标准SOT-223封装兼容。
    - 支持:厂商提供技术支持和维修服务,客户可通过服务热线400-655-8788获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 门极电压超出限制。
    - 解决办法: 确保门极电压不超过±30 V。
    - 问题2: 功率损耗过大。
    - 解决办法: 检查散热措施,确保在额定工作温度范围内使用。
    - 问题3: 开关频率不稳定。
    - 解决办法: 检查门极驱动电路,确保驱动信号稳定。

    7. 总结和推荐


    HM3N40R 在高压电力转换应用中表现出色,具有较低的门极电荷、高可靠性和良好的热稳定性。特别适合需要高效能和耐用性的场合。对于工业电源、电机驱动等领域,这款MOSFET是理想的选择。因此,强烈推荐在相关应用中使用此产品。

HM3N40R-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
最大功率耗散 -
长*宽*高 7.3mm*6.8mm*1.9mm
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HM3N40R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM3N40R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HM3N40R-VB HM3N40R-VB数据手册

HM3N40R-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
2500+ ¥ 1.6556
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336