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FP9140N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;P沟道;VDS=-100V;ID =-21A;RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=240mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;用于需要承受高电压和高功率的场合,如工业变频器中的逆变器模块、太阳能逆变器等。
供应商型号: FP9140N-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FP9140N-VB

FP9140N-VB概述

    FP9140N-VB P-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FP9140N-VB 是一款高性能的 P-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高压应用场合。此产品通过了RoHS(有害物质限制指令)标准,符合环保要求。FP9140N-VB 主要用于电源转换、电机控制和其他高功率应用中,具备快速开关、高可靠性等特点。

    技术参数


    - 最大电压 (VDS): -100 V
    - 静态导通电阻 (RDS(on)): -10 V时为0.20 Ω
    - 栅极电荷 (Qg): 61 nC
    - 输入电容 (Ciss): 1400 pF
    - 输出电容 (Coss): 590 pF
    - 逆向传输电容 (Crss): 140 pF
    - 最大连续漏极电流 (ID): -15 A (TC = 100 °C)
    - 重复雪崩电流 (IAR): -21 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): -84 A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 18 mJ
    - 最大耗散功率 (PD): 180 W (TC = 25 °C)
    - 最大工作温度 (TJ, Tstg): -55 to +175 °C

    产品特点和优势


    FP9140N-VB 的显著特点是其高速开关能力和出色的并联能力。它的重复雪崩能力使它能够在极端条件下保持稳定。此外,该产品具有优良的散热性能和宽泛的工作温度范围,使其适用于多种工业和消费电子产品。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: FP9140N-VB 常被用于电机驱动、直流变换器和电池管理等领域。例如,在一个典型的直流变换器设计中,FP9140N-VB 可以有效地管理电源转换过程中的高电压和大电流。

    - 使用建议: 在使用 FP9140N-VB 时,应特别注意电路的布局设计,尽量减少杂散电感和降低泄漏电感。良好的接地平面和低杂散电感设计可以提高系统的稳定性和可靠性。同时,正确选择栅极电阻和驱动信号可以进一步优化开关性能。

    兼容性和支持


    FP9140N-VB 采用 TO-247AC 封装,方便安装和集成到现有的电路板设计中。产品制造商提供详尽的技术支持,包括详细的安装指南、热阻计算方法以及常见问题解答,确保用户能够顺利进行产品的调试和应用。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 开关过程中发热严重
    - A: 检查电路布局,确保没有杂散电感,并且散热措施得当。另外,适当调整栅极电阻值有助于优化开关速度,减少热耗。
    2. Q: 长时间工作后性能下降
    - A: 确认是否超出了规定的最大耗散功率。如果系统在高温环境下长时间运行,请检查散热机制是否足够强大,必要时增加外部冷却装置。

    总结和推荐


    FP9140N-VB P-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的产品,非常适合于需要高耐压、高电流和快速开关的应用场景。无论是电力电子设备还是高要求的工业控制系统,FP9140N-VB 都能提供优异的表现。建议在具体项目中选用此产品,并结合实际应用情况进行适当的电路设计和调试。

FP9140N-VB参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个P沟道
Id-连续漏极电流 21A
通道数量 1
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FP9140N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FP9140N-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FP9140N-VB FP9140N-VB数据手册

FP9140N-VB封装设计

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100+ ¥ 5.3986
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