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VBJ165R01

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOT223;N沟道;VDS=650V;ID =1A;RDS(ON)=8000mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=10000mΩ@VGS=4.5V;VGS=±30V;Vth=3.5V;由于该型号器件具有小型封装和低功耗特性,适合应用于电动工具、家用电器等领域,如电动扳手、吸尘器等产品中的电源控制模块。
供应商型号: VBJ165R01 SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBJ165R01

VBJ165R01概述

    VBJ165R01 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBJ165R01 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Power MOSFET),专为高电压和大电流应用设计。此款MOSFET具有出色的动态dv/dt评级和重复雪崩额定值,适用于开关电源、电机驱动、直流-直流转换器等多个领域。

    2. 技术参数


    - VDS (漏源电压): 650 V
    - RDS(on) (导通电阻): 在VGS = 10 V时为8.4 Ω
    - Qg (栅电荷): 最大18 nC
    - Qgs (栅源电荷): 3.0 nC
    - Qgd (栅漏电荷): 8.9 nC
    - 配置: 单个
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 4.8 A
    - 最大连续漏极电流 (ID): 在25°C时为1.2 A,在100°C时为0.8 A
    - 最大功率耗散 (PD): 3 W(在25°C)
    - 重复雪崩能量 (EAR): 4.2 mJ
    - 体二极管最大雪崩能量 (EAS): 74 mJ
    - 体二极管最大雪崩电流 (IAR): 2.0 A
    - 最大功率耗散(PCB安装): 在25°C时为0.02 W
    - 最大结壳热阻 (RthJC): 3.0°C/W
    - 最大结环境热阻 (RthJA): 110°C/W(未安装PCB)

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素材料: 符合IEC 61249-2-21标准
    - 快速开关: 具有出色的开关性能
    - 易于并联: 简化电路设计和布局
    - 重复雪崩额定值: 可靠耐用
    - RoHS合规: 符合2002/95/EC指令
    - 温度系数小: 确保在不同温度下的稳定性
    - 低栅泄漏电流: 增强可靠性

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: VBJ165R01 能够用于各种电力变换应用,例如直流-直流转换器、电源逆变器和马达驱动等。其优异的开关特性和重复雪崩额定值使其能够在严苛的环境中可靠运行。
    - 使用建议:
    - 确保电路设计中加入足够的去耦电容,以降低栅极寄生电感。
    - 使用较大的散热片或散热板,以提高散热效率,防止过热。
    - 选择合适的栅极电阻 (Rg),以确保开关速度和减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    VBJ165R01 支持常见的焊接工艺,并且与多种PCB布局方案兼容。台湾VBsemi公司提供全面的技术支持,包括产品手册、电路设计指南和技术咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: MOSFET是否过热?
    - A: 检查散热措施是否足够,确认电路中的电流不超过额定值。
    - Q: 开关时间过长?
    - A: 调整栅极电阻Rg,确保开关速度适当。
    - Q: MOSFET损坏?
    - A: 确认电路中是否有过压或过流保护机制,检查电路设计是否合理。

    7. 总结和推荐


    VBJ165R01是一款高性能、可靠的N沟道功率MOSFET,适用于高电压和大电流的应用场合。其快速开关性能、低导通电阻和重复雪崩额定值使其在市场上具备很强的竞争力。强烈推荐在电力变换和控制应用中使用此产品。

VBJ165R01参数

参数
Id-连续漏极电流 1A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 8Ω(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 650V
长*宽*高 7.3mm*6.8mm*1.9mm
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBJ165R01厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBJ165R01数据手册

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VBJ165R01封装设计

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