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IRF9620STRR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;P沟道;VDS=-200V;ID =-11A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=600mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-3.5V;适用于多个领域和模块,可提供稳定、高效的电源开关和驱动功能,是一款性能优异的MOSFET产品。
供应商型号: IRF9620STRR-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF9620STRR-VB

IRF9620STRR-VB概述

    IRF9620STRR-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:IRF9620STRR-VB 是一款 P-通道 200V (D-S) MOSFET。
    主要功能:该器件具备快速开关能力,高动态dv/dt耐受度,并且易于并联操作,适用于各种电力电子应用。
    应用领域:广泛应用于电源管理、电机控制、通信设备和汽车电子等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | -200 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | -2.0 | - | -4.0 | V |
    | 栅源漏电 | IGSS | - | - | ± 100 | nA |
    | 漏极连续电流 | ID | -11 | - | -6.8 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | -44 | A |
    | 重复雪崩电流 | IAR | - | - | -11 | A |
    | 雪崩能量 | EAS | - | - | 700 | mJ |
    | 峰值二极管恢复dv/dt | dV/dt | - | - | -5.0 | V/ns |

    3. 产品特点和优势


    - 动态 dv/dt 评级:提供高动态dv/dt耐受度。
    - 重复雪崩额定值:具有强大的雪崩电流和能量承受能力。
    - 快开关速度:快速开关能力使其适用于高频应用。
    - 易于并联:方便与其他同类器件并联使用,提高输出电流。
    - 简单的驱动要求:具有简单的驱动要求,降低系统复杂度。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电源管理电路中作为开关器件。
    - 电机控制和电池管理系统的保护电路。
    - 通信设备中的电源转换器。
    使用建议:
    - 在使用时,确保驱动电压满足栅源阈值电压的要求。
    - 注意器件的最大雪崩能量限制,避免过载导致损坏。
    - 对于高频应用,合理设计电路布局以减少寄生电感和电容的影响。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该器件可与其他 P-通道 MOSFET 并联使用,但需注意其栅极驱动的一致性。
    - 可与互补的 N-通道 MOSFET 结合使用,实现全桥或半桥电路。
    支持:
    - 提供详细的技术手册和应用指南。
    - 客户支持团队随时提供技术支持和故障排除帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 温度过高导致器件损坏。
    - 解决方案:优化散热设计,确保热阻符合应用需求。

    2. 脉冲电流超过最大允许值。
    - 解决方案:根据具体应用选择合适的脉冲宽度和占空比。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:高性能、可靠性和良好的易用性是该器件的主要优点。其快开关速度和重复雪崩耐受能力使它在多种应用中表现出色。
    - 推荐:强烈推荐用于需要高性能 P-通道 MOSFET 的应用场景,特别是高频电源管理和电机控制系统。

IRF9620STRR-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ(mΩ)
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个P沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 11A
Vds-漏源极击穿电压 200V
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF9620STRR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF9620STRR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF9620STRR-VB IRF9620STRR-VB数据手册

IRF9620STRR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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