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IXFX32N50Q-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247\n凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: IXFX32N50Q-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFX32N50Q-VB

IXFX32N50Q-VB概述


    产品简介


    IXFX32N50Q-VB 是一款由VBsemi公司生产的N-Channel 500V(D-S)超级结功率MOSFET。该器件主要用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速电力开关和硬开关及高频电路。它的主要特点是低门极电荷(Qg),这降低了驱动要求;改进的门极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性;完全表征的电容和雪崩电压及电流。此外,它具有较低的导通电阻(RDS(on))和符合RoHS指令2002/95/EC标准。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 500 V
    - 门极-源极电压 (VGS): ± 30 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C 时 40 A
    - TC = 100°C 时 25 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 180 A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS): 910 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 40 A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 51 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 530 W
    - 峰值二极管恢复 dv/dt: 9.0 V/ns
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55 至 +150°C
    - 静态门极-源极泄漏电流 (IGSS): ± 100 nA
    - 零门极电压漏极电流 (IDSS): 50 μA (VDS = 500 V, VGS = 0 V)
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 28 A 时 0.080 Ω
    - 输入电容 (Ciss):
    - VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz 时 8310 pF
    - 输出电容 (Coss):
    - VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz 时 10170 pF
    - 总门极电荷 (Qg):
    - ID = 47 A, VDS = 400 V 时 350 nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs): 85 nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd): 180 nC

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷(Qg): 减少了驱动需求,使得电路设计更为简单。
    2. 改进的门极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性: 提高了器件的可靠性。
    3. 完全表征的电容和雪崩电压及电流: 确保了器件在各种条件下的稳定性能。
    4. 低导通电阻(RDS(on)): 在高电流条件下表现出色,适用于大功率应用。
    5. 符合RoHS指令2002/95/EC: 满足环保要求,适合广泛应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关模式电源 (SMPS): 用于高效转换电压,减少能源损耗。
    - 不间断电源 (UPS): 保证系统在断电情况下仍能持续运行。
    - 高频率和硬开关电路: 适用于需要快速切换和高频率工作的场合。
    使用建议:
    - 在设计开关电源时,确保电路布局的合理性,以降低寄生电感的影响。
    - 使用散热良好的封装,避免过热引起的性能下降。
    - 考虑到器件的高电压特性,确保外部电路能够提供足够的保护。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 本器件可与其他适用于高功率应用的电子元器件或设备兼容。
    支持和服务:
    - VBsemi公司为客户提供全面的技术支持和维护服务。客户可以通过官方服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 器件过热:
    - 解决方法: 确保电路设计合理,使用适当的散热措施,如安装散热片。

    2. 性能不稳定:
    - 解决方法: 检查电源输入和接地线连接是否良好,确保所有连接处无松动。

    总结和推荐


    综合评估:
    - IXFX32N50Q-VB 是一款高性能、高可靠性的N-Channel 500V超级结功率MOSFET,适用于多种高功率应用。
    - 其低门极电荷、低导通电阻和高雪崩能量等特性使其在高功率应用中表现卓越。
    - 由于其广泛的适用性和良好的技术支持,强烈推荐给需要高性能功率MOSFET的工程师和技术人员。

IXFX32N50Q-VB参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 50A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFX32N50Q-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFX32N50Q-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFX32N50Q-VB IXFX32N50Q-VB数据手册

IXFX32N50Q-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 10.6975
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