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IXFR48N60Q3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: IXFR48N60Q3-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFR48N60Q3-VB

IXFR48N60Q3-VB概述


    产品简介


    IXFR48N60Q3-VB 是一款由VBsemi公司生产的超级结功率N沟道场效应晶体管(Super Junction N-Channel Power MOSFET)。它主要适用于多种高要求的应用场景,如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及各种照明和工业应用。由于其卓越的性能,这款产品特别适合用于焊接、感应加热、电机驱动、电池充电以及可再生能源系统中的太阳能逆变器等应用。

    技术参数


    - 最大电压(VDS):700V
    - 导通电阻(RDS(on)):在25°C时为0.06Ω
    - 总栅极电荷(Qg):273nC
    - 输入电容(Ciss):5682pF
    - 输出电容(Coss):251pF
    - 反向传输电容(Crss):-1pF
    - 雪崩能量(UIS):1410mJ
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C):在25°C时为47A,100°C时为30A
    - 脉冲漏极电流(IDM):142A
    - 最大耗散功率(PD):415W
    - 绝对最高额定温度(TJ):-55°C至+150°C
    - 热阻:RthJA为40°C/W,RthJC为0.3°C/W

    产品特点和优势


    - 低品质因素(Ron x Qg):这有助于降低电阻和电容带来的损耗。
    - 低输入电容(Ciss):减少开关损耗,提高效率。
    - 减少开关和导通损耗:进一步提升能效。
    - 超低栅极电荷(Qg):加速开关速度。
    - 雪崩能量等级:确保在极端条件下的可靠运行。

    应用案例和使用建议


    这款超级结MOSFET在多个领域都有广泛应用,如:
    - 服务器和电信电源:因其在高温环境下依然保持稳定性能。
    - 开关模式电源:非常适合要求高效能和高频率的电源设计。
    - 工业应用:适用于焊接、感应加热等高要求的工业领域。
    使用建议:在安装时,应严格遵守厂商提供的焊接温度和时间限制。此外,应注意散热管理以避免过热导致的故障。在电路设计中,可以通过减小寄生电感来进一步优化性能。

    兼容性和支持


    这款MOSFET与其他电子元件和设备具有良好的兼容性。VBsemi公司提供详尽的技术支持,包括在线资源和技术咨询服务。如有需要,客户还可以获取产品相关的文档和支持材料,帮助解决任何技术问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确焊接这款MOSFET?
    解答:请严格按照焊接温度和时间进行焊接,确保焊接效果良好且不损坏元器件。

    - 问题2:如何防止过热?
    解答:安装时注意热管理,确保有足够的散热装置,如散热片或风扇。

    总结和推荐


    综上所述,IXFR48N60Q3-VB是一款高性能的N沟道超级结MOSFET,在多个应用场景下表现出色。它不仅具备优异的电气特性,还能有效降低能耗和提高效率。基于以上各方面考虑,我强烈推荐这款产品给需要高性能功率器件的设计工程师和终端用户。

IXFR48N60Q3-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 47A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFR48N60Q3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFR48N60Q3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFR48N60Q3-VB IXFR48N60Q3-VB数据手册

IXFR48N60Q3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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900+ ¥ 14.6177
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