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34NM60ND-VB TO247

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: 34NM60ND-VB TO247 TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 34NM60ND-VB TO247

34NM60ND-VB TO247概述

    34NM60ND-VB TO247 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    34NM60ND-VB 是一款适用于多种高功率应用的超结功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用 TO-247AC 封装,具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),旨在减少开关损耗和导通损耗。它广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源、高强度放电照明、荧光灯镇流器照明、焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源系统以及光伏逆变器等领域。

    技术参数


    以下是34NM60ND-VB的主要技术参数:
    - 工作电压:最大漏源电压(VDS)为700V。
    - 导通电阻:在25°C时,漏源导通电阻(RDS(on))为0.06Ω。
    - 栅极电荷:最大总栅极电荷(Qg)为273nC。
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):650V。
    - 栅源电压(VGS):±30V。
    - 持续漏电流(TJ = 150°C):在25°C时为47A,在100°C时为30A。
    - 脉冲漏电流:142A。
    - 最大功率耗散:415W。
    - 工作结温及存储温度范围:-55°C至+150°C。

    - 热阻:
    - 结到环境的最大热阻(RthJA):40°C/W。
    - 结到外壳的最大热阻(RthJC):3°C/W。

    产品特点和优势


    34NM60ND-VB具有以下几个显著特点:
    - 低栅极电荷:这有助于减少开关损耗,提升效率。
    - 低输入电容:低输入电容(Ciss)降低了门极驱动电路的负载,提高了系统的动态性能。
    - 减少开关和导通损耗:这使得它在高频应用中表现出色。
    - 超低栅极电荷:低栅极电荷(Qg)进一步减少了开关过程中的能量损失。
    - 重复冲击能量:能够承受高达1410mJ的重复冲击能量。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:这类应用通常需要高可靠性,34NM60ND-VB 的高耐压能力和低损耗使其成为理想选择。
    - 开关模式电源(SMPS):该器件的低导通电阻和高能效使其在 SMPS 中表现优异。
    - 工业设备:在焊接、感应加热、电机驱动等应用中,其高可靠性和稳定性确保了高效运行。
    使用建议:
    - 确保正确连接引脚,避免静电损坏。
    - 使用热管理措施,如散热片,以保持温度在安全范围内。
    - 在高频率应用中,考虑其动态特性和寄生电容的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件可与多种标准电源拓扑结构兼容,如硬开关和软开关。
    - 支持和服务:制造商提供详尽的技术文档和支持,确保用户能够顺利集成和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定合适的栅极电阻?
    - 解决方案:通过计算总栅极电荷和所需的开关速度来选择合适的栅极电阻。一般情况下,建议的栅极电阻范围是几欧姆到几十欧姆。
    - 问题2:如何处理过温保护?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,并监控器件的温度,以便在必要时采取适当的冷却措施。

    总结和推荐


    34NM60ND-VB是一款高性能的超结功率 MOSFET,适用于各种高功率和高效率的应用。其独特的低导通电阻和低栅极电荷特性,使其在多个关键领域具有明显的竞争优势。对于需要高效率和高可靠性的应用场景,我们强烈推荐使用34NM60ND-VB。

34NM60ND-VB TO247参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 47A
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 1
最大功率耗散 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

34NM60ND-VB TO247厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

34NM60ND-VB TO247数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 34NM60ND-VB TO247 34NM60ND-VB TO247数据手册

34NM60ND-VB TO247封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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