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IXTP36P15P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;P沟道;VDS=-150V;ID =-20A;RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;具有多种特性和应用领域,包括电源管理、电机驱动和功率开关等,是一款功能强大且多用途的器件,可广泛应用于各种电子设备和系统中。
供应商型号: IXTP36P15P-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTP36P15P-VB

IXTP36P15P-VB概述

    IXTP36P15P-VB P-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    IXTP36P15P-VB 是一款 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电源转换应用,如电源开关和直流-直流转换器。这款 MOSFET 具有高可靠性、低导通电阻和高效能的特点,适用于需要高性能和可靠性的工业和消费电子设备。

    技术参数


    - 主要参数:
    - 额定电压:150V(漏极-源极)
    - 最大电流:20A(连续)
    - 导通电阻(RDS(on)):0.100Ω 至 0.120Ω(不同栅源电压下)
    - 总栅电荷(Qg):13.7nC 至 34.8nC
    - 输入电容(Ciss):1055pF
    - 输出电容(Coss):65pF
    - 反向转移电容(Crss):41pF
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):-150V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C):-20A
    - 脉冲漏极电流(IDM):-60A
    - 最大功率耗散:37.1W(TC = 25°C)
    - 热阻抗:
    - 结至环境热阻(RthJA):50°C/W(带PCB安装)
    - 结至外壳热阻(RthJC):3.9°C/W

    产品特点和优势


    1. Halogen-Free: 符合 IEC 61249-2-21 标准,无卤素材料。
    2. TrenchFET® Power MOSFET: 采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻和高效率。
    3. 100% Rg and UIS 测试: 通过全面测试,确保产品的质量和可靠性。
    4. RoHS 合规: 符合欧盟 RoHS 指令,环保安全。

    应用案例和使用建议


    IXTP36P15P-VB MOSFET 主要应用于电源开关和直流-直流转换器中。例如,在需要高效率的电源管理应用中,这款 MOSFET 可以提供出色的性能。
    使用建议:
    - 在高频率开关应用中,考虑其输入和输出电容的影响,以优化电路设计。
    - 确保散热设计良好,以避免因过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该 MOSFET 与标准 TO-220AB 封装兼容,易于集成到现有的 PCB 设计中。
    - 支持: 请联系供应商获取技术支持和服务。服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 如何判断产品是否达到规定的最大电流?
    - 解决方案: 查看手册中的绝对最大额定值部分,确保在规定的温度范围内使用,并且不超过最大电流限制。
    - 问题: 在高频率开关应用中,如何优化输入和输出电容的影响?
    - 解决方案: 通过优化 PCB 布局,减小引线电感,并选择合适的外部电容值,可以显著减少寄生效应。

    总结和推荐


    IXTP36P15P-VB P 沟道 MOSFET 具有高可靠性、低导通电阻和高效能的优点,适用于多种电源转换应用。其独特的 TrenchFET® 技术和无卤素材料使其在市场上具有很强的竞争优势。我们强烈推荐此产品用于需要高性能和可靠性的电源管理应用。
    推荐等级: ★★★★☆

IXTP36P15P-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 150V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
最大功率耗散 -
FET类型 2个P沟道
Id-连续漏极电流 20A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTP36P15P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTP36P15P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXTP36P15P-VB IXTP36P15P-VB数据手册

IXTP36P15P-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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