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ZVN0545GTC-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOT223;N沟道;VDS=650V;ID =1A;RDS(ON)=8000mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=10000mΩ@VGS=4.5V;VGS=±30V;Vth=3.5V;由于该型号器件具有小型封装和低功耗特性,适合应用于电动工具、家用电器等领域,如电动扳手、吸尘器等产品中的电源控制模块。
供应商型号: ZVN0545GTC-VB SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZVN0545GTC-VB

ZVN0545GTC-VB概述

    ZVN0545GTC N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ZVN0545GTC 是一款高性能的 N-Channel 功率 MOSFET,由台湾 VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产。它主要用于电力转换、电机驱动、电源管理和汽车电子等领域。该器件具备低导通电阻(RDS(on))和高开关速度,适用于需要高效能转换的场合。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 8.4Ω (在 VGS=10V 时)
    - 栅极电荷 (Qg): 最大 18nC
    - 输入电容 (Ciss): 最大 350pF
    - 输出电容 (Coss): 48pF
    - 反向转移电容 (Crss): 8.6pF
    - 开关时间参数:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 最大 10ns
    - 上升时间 (tr): 最大 23ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 最大 30ns
    - 下降时间 (tf): 最大 25ns
    - 最大重复雪崩电流 (IAR): 2.0A
    - 最大重复雪崩能量 (EAR): 4.2mJ
    - 体二极管的最大反向恢复时间 (trr): 最大 580ns
    - 体二极管的最大反向恢复电荷 (Qrr): 最大 1.3μC
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 最大耗散功率 (PD): 3W
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 漏极电流 (ID): 连续 1.2A (在 TC=25°C 时),脉冲 4.8A

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): 提高了效率,减少了功率损耗。
    - 快速开关特性: 适用于高频应用,如电源管理。
    - 重复雪崩能力: 能够承受高能量的瞬态电压。
    - 零卤素: 符合 IEC 61249-2-21 和 RoHS 2002/95/EC 规范,环保可靠。
    - 方便并联: 可以轻松实现多管并联,提升电流处理能力。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电力转换系统: 利用其高开关频率和低损耗特性,适用于高压直流转换器。
    - 电机驱动: 高速开关能力和低导通电阻使其适用于电动汽车的逆变器系统。
    - 电源管理: 适用于计算机服务器和通信设备的电源模块。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,确保良好的散热设计,以避免过热损坏。
    - 在高频应用中,选择适当的栅极驱动电阻 (Rg) 来控制 dV/dt。
    - 并联使用时,确保各器件均匀分配电流,可以使用均流电阻来达到平衡。

    5. 兼容性和支持


    ZVN0545GTC 可以与大多数标准 PCB 材料(如 FR-4 或 G-10)兼容。厂商提供详尽的技术支持和文档,包括应用指南、评估板和设计工具,帮助客户更好地利用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 导通电阻 (RDS(on)) 太高导致发热严重?
    - A: 检查电路设计是否合理,特别是栅极驱动电阻 (Rg) 的选择,确保合适的栅极充电。同时考虑改善散热设计。
    - Q: 开关时间过长导致效率降低?
    - A: 确保使用低阻抗的栅极驱动器,减少 Rg 值。同时检查电路布线,减少杂散电感的影响。
    - Q: 雪崩电流超过额定值导致损坏?
    - A: 使用瞬态电压抑制器 (TVS) 或其他保护措施,避免瞬态电压过高。

    7. 总结和推荐


    综上所述,ZVN0545GTC 是一款出色的 N-Channel MOSFET,具有优异的开关特性和低导通电阻,非常适合用于高压、高频率的应用场合。其环保特性和可靠的支持使它成为市场上的有力竞争者。强烈推荐给需要高效能电力转换和驱动应用的工程师们。
    联系方式:服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

ZVN0545GTC-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 8Ω(mΩ)
Id-连续漏极电流 1A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
长*宽*高 7.3mm*6.8mm*1.9mm
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZVN0545GTC-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZVN0545GTC-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZVN0545GTC-VB ZVN0545GTC-VB数据手册

ZVN0545GTC-VB封装设计

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