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IXFH40N50Q-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247\n凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: IXFH40N50Q-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFH40N50Q-VB

IXFH40N50Q-VB概述

    N-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册介绍了VBsemi公司生产的IXFH40N50Q-VB N-Channel 500V(D-S)超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件属于单N通道结构,特别适用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速功率开关及硬切换和高频电路等多种应用场合。这款MOSFET凭借其低门极电荷、高抗压能力和低导通电阻等特点,为用户提供了高性能、可靠的解决方案。

    技术参数


    - 基本规格
    - VDS(漏源电压):500V
    - RDS(on)(导通电阻)@ VGS = 10V:0.080Ω
    - Qg(总门极电荷)(最大值):350nC
    - Qgs(门源电荷):85nC
    - Qgd(门漏电荷):180nC
    - 绝对最大额定值
    - 最大门极-源极电压 VGS:±30V
    - 最大门极-源极电压 VGS:50V
    - 连续漏极电流(TC = 25°C)ID:40A
    - 最大单脉冲雪崩能量 EAS:910mJ
    - 最大重复雪崩电流 IAR:40A
    - 最大重复雪崩能量 EAR:51mJ
    - 最大功耗 PD(TC = 25°C):530W
    - 最大结温 TJ:150°C
    - 热阻抗
    - 最大结至环境热阻 RthJA:40°C/W
    - 案件至散热片热阻 RthCS:0.24°C/W
    - 最大结至案件(漏极)热阻 RthJC:0.23°C/W
    - 动态特性
    - 有效输出电容 Coss(eff.):440pF
    - 总门极电荷 Qg:350nC
    - 门源电荷 Qgs:85nC
    - 门漏电荷 Qgd:180nC

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷:低门极电荷要求简单驱动,降低了驱动电路的设计复杂度。
    2. 高可靠性:改进的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性,提高了整体可靠性。
    3. 全面参数化:完全表征的电容和雪崩电压、电流参数,确保设计灵活性。
    4. 低导通电阻:RDS(on) 仅为 0.080Ω(@ VGS = 10V),有助于提高效率。
    5. 环保合规:符合RoHS指令2002/95/EC。

    应用案例和使用建议


    1. 开关电源(SMPS):此器件非常适合用于需要高效转换的应用,例如服务器电源、通讯设备电源。
    2. 不间断电源(UPS):在提供稳定电力供应方面表现出色,特别是在关键任务环境中。
    3. 高速功率开关:可广泛应用于电信基站和汽车电子等领域,以实现高效的电能转换。
    4. 硬切换和高频电路:这些应用对开关速度和可靠性有较高要求,而IXFH40N50Q-VB能够满足这些需求。
    使用建议:
    - 在使用时需注意散热设计,确保温度不超过规定范围。
    - 由于低门极电荷特性,可以简化驱动电路,降低整体系统成本。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与市场上常见的电源管理IC和其他外围组件具有良好的兼容性,便于集成到各种设计中。
    - 支持:VBsemi提供全面的技术支持,包括样品请求、技术咨询和应用指南等。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:器件过热?
    - 解决方案:增加散热措施,如加大散热片面积或使用热管散热器。
    - 问题2:驱动电路不稳定?
    - 解决方案:确保门极驱动电路符合门极电荷参数,适当调整门极电阻。
    - 问题3:噪声干扰?
    - 解决方案:在布线时采用低噪声布局,避免长走线和寄生电感影响。

    总结和推荐


    总体而言,IXFH40N50Q-VB是一款高性能、可靠且环保的N-Channel 500V超级结功率MOSFET,适合多种应用场景。其低门极电荷、高可靠性及环保特性使其在市场上具有较强竞争力。对于需要高效、可靠的电能转换应用来说,推荐选择IXFH40N50Q-VB作为首选器件。

IXFH40N50Q-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
通道数量 1
配置 -
Id-连续漏极电流 50A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vds-漏源极击穿电压 500V
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFH40N50Q-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFH40N50Q-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFH40N50Q-VB IXFH40N50Q-VB数据手册

IXFH40N50Q-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 12.5579
100+ ¥ 11.6277
500+ ¥ 10.6975
900+ ¥ 10.2324
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