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IXFH12N80P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=800V;ID =11A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在电力领域,该器件可用于设计高压直流输电系统中的开关模块,以提高输电效率和稳定性。
供应商型号: IXFH12N80P-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFH12N80P-VB

IXFH12N80P-VB概述

    IXTFH12N80P-VB 电子元器件技术手册

    1. 产品简介


    IXTFH12N80P-VB 是一款适用于高电压应用的N沟道超级结功率MOSFET,由台湾VBsemi公司生产。它主要用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)。该器件具有低导通电阻、低输入电容和超低栅极电荷等特点,使其成为高性能电力转换系统的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是IXTFH12N80P-VB的主要技术规格:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDS) | 800 | V |
    | 最大栅源电压 (VGS) | ±30 | V |
    | 持续漏电流 (ID) | 8 | A |
    | 脉冲漏电流 (IDM) | 28 | A |
    | 最大功率耗散 (PD) | 156 | W |
    | 最高工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg)| -55 到 +150 | °C |
    | 绝对最大额定值下的结到环境热阻 (RthJA) | 62 | °C/W |
    | 栅源阈值电压 (VGS(th)) | 2 - 4 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.50 | Ω |
    | 有效输出电容 (Co(tr))| 160 | pF |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 73 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 低功耗特性:IXTFH12N80P-VB具有低RonxQg值(功耗因子),低输入电容(Ciss),减少开关和导通损耗。
    - 高可靠性:通过重复测试和单脉冲雪崩能量等级评定,确保长期稳定可靠。
    - 快速开关:拥有较低的栅极电荷(Qg),加快开关速度,提高效率。
    - 广泛的温度范围:工作温度范围广,能够在极端环境中保持性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:用于数据中心和通信设备中的电源模块,能有效提升系统效率。
    - 开关模式电源:适用于需要高效率和低损耗的应用场景,如工业控制设备。
    - 照明系统:特别适用于高强度放电灯和荧光灯的镇流器,提高照明系统的整体效能。
    使用建议:
    - 在使用时应注意保持良好的散热,特别是在高功率应用中。
    - 确保电路布局尽可能减小杂散电感,以避免不必要的开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    IXTFH12N80P-VB采用TO-247AC封装,广泛兼容各种标准电源电路板设计。厂商提供详细的技术文档和专业技术支持,以帮助客户顺利集成和优化应用。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确保正确的焊接温度?
    - 解决办法:按照建议的焊接温度(峰值温度为300°C,持续10秒),确保在回流焊过程中不超出。

    - 问题2:如何减少电磁干扰(EMI)?
    - 解决办法:合理布置电路,使用滤波电容并缩短PCB上的信号线长度,减少电磁辐射。

    7. 总结和推荐


    IXTFH12N80P-VB是一款性能优异的N沟道超级结功率MOSFET,具有低损耗、高可靠性和广泛应用前景。其独特的性能优势使得该产品非常适合在高电压和高功率密度的电力转换系统中使用。综合考虑其性能、可靠性和性价比,强烈推荐使用IXTFH12N80P-VB作为电力系统的核心元件。

IXFH12N80P-VB参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 800V
配置 -
Id-连续漏极电流 11A
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFH12N80P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFH12N80P-VB数据手册

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IXFH12N80P-VB封装设计

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