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K1600-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=850V;ID =4A;RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可以应用于电机控制模块和工业自动化设备中的电源开关和驱动电路,实现高效、稳定的工业生产过程。
供应商型号: K1600-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1600-VB

K1600-VB概述

    K1600-VB Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K1600-VB 是一款高性能的N-通道功率MOSFET,广泛应用于电力转换系统、电机驱动、电源管理和新能源汽车等领域。这款MOSFET以其出色的开关特性和高可靠性在业界获得了高度评价。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 850 V
    - 门源电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 漏极连续电流 \(ID\): 4.1 A (TC = 25°C), 2.6 A (TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 16 A
    - 集电极-发射极导通电阻 \(R{DS(on)}\): 2.7 Ω (VGS = 10 V)
    - 动态特性
    - 输入电容 \(C{iss}\): 1300 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 310 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 190 pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 78 nC
    - 栅源电荷 \(Q{gs}\): 9.6 nC
    - 栅漏电荷 \(Q{gd}\): 45 nC
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻 \(R{thJA}\): 62°C/W
    - 最大结到管壳热阻 \(R{thJC}\): 1.0°C/W
    - 最大管壳到散热片热阻 \(R{thCS}\): 0.50°C/W
    - 绝对最大额定值
    - 最大单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 260 mJ
    - 最大重复雪崩能量 \(E{AR}\): 13 mJ
    - 峰值二极管恢复电压 \(dV/dt\): 2.0 V/ns
    - 工作结温及存储温度范围: -55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素设计:符合IEC 61249-2-21标准,环保安全。
    - 快速开关:低导通电阻和高雪崩耐受能力,确保高效能。
    - 易于并联:适合大电流应用,提升系统整体性能。
    - 简单的驱动要求:便于集成到现有的电路设计中。
    - 合规RoHS指令:符合2002/95/EC指令。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:K1600-VB MOSFET 在开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统等广泛应用中表现出色。例如,在一个开关电源设计中,它可以有效地降低损耗,提高系统的整体效率。
    使用建议:
    - 确保PCB设计具有良好的散热路径,以避免过热。
    - 使用适当的驱动电路,以减少驱动延迟,提升性能。
    - 在设计过程中充分考虑外部噪声的影响,采用滤波措施。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:K1600-VB MOSFET 具有广泛的应用兼容性,适用于多种标准封装(如TO-220AB)。
    - 支持和服务:供应商提供详细的技术文档和应用指南,技术支持热线:400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热导致损坏 | 确保良好的散热设计,合理选择散热器。 |
    | 驱动信号不稳定 | 使用合适的门极驱动电路,降低线路寄生电感。 |
    | 电磁干扰 | 设计时加入滤波器,减小干扰影响。 |

    7. 总结和推荐


    K1600-VB 功率MOSFET 在性能、可靠性和成本效益方面表现出色,是电力转换和控制应用的理想选择。其无卤素、低导通电阻、快速开关等特点使其成为众多领域的优选方案。我们强烈推荐此产品给需要高性能功率管理解决方案的工程师和技术人员。
    本文档基于K1600-VB MOSFET 的技术手册编写,提供了全面的产品信息和技术规格,有助于读者更好地理解和应用这一产品。

K1600-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7Ω(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 850V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1600-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1600-VB数据手册

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K1600-VB封装设计

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