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ZVN0545GTA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOT223;N沟道;VDS=650V;ID =1A;RDS(ON)=8000mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=10000mΩ@VGS=4.5V;VGS=±30V;Vth=3.5V;由于该型号器件具有小型封装和低功耗特性,适合应用于电动工具、家用电器等领域,如电动扳手、吸尘器等产品中的电源控制模块。
供应商型号: ZVN0545GTA-VB SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZVN0545GTA-VB

ZVN0545GTA-VB概述

    # ZVN0545GTA N-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    ZVN0545GTA 是一款高性能的 N 沟道增强型 Power MOSFET(功率场效应晶体管),适用于高电压、大电流的应用场景。它以其卓越的开关性能和可靠性著称,被广泛应用于工业控制、通信设备、新能源汽车及电源管理等领域。这款 MOSFET 支持快速开关和并联操作,符合 RoHS 和卤素自由标准,是一款环保且高效的产品。

    2. 技术参数


    以下是 ZVN0545GTA 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 8.4 | - | Ω |
    | 零栅源电压漏极电流 | IDSS | - | - | 100 | μA |
    | 输入电容 | Ciss | - | 350 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 48 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | 8.6 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 18 | - | nC |
    | 最大耗散功率(Ta=25℃) | PD | - | 3 | - | W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    ZVN0545GTA 的主要优势包括:
    1. 绿色环保:符合 RoHS 和卤素自由标准,适应环保需求。
    2. 快速开关:支持动态 dV/dt 额定值和快速关断能力,适合高频开关应用。
    3. 高可靠性:具有重复雪崩额定值,能够承受瞬态高压冲击。
    4. 易于并联:设计支持轻松并联使用,提升系统可靠性。
    5. 低导通电阻:典型值仅为 8.4 Ω(VGS = 10 V),降低功耗。
    6. 封装兼容性强:采用 SOT-223 封装,适合紧凑电路设计。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    ZVN0545GTA 广泛应用于以下领域:
    - 工业电源:如逆变器和 DC-DC 转换器。
    - 通信设备:如基站电源管理和无线充电模块。
    - 新能源汽车:用于电机驱动和电池管理系统。
    - 消费电子:如高功率开关电源。
    使用建议
    1. 在高电压或高温环境下使用时,需注意散热设计以避免过热。
    2. 配置栅极驱动电路时,选择合适的栅极电阻以减少开关损耗。
    3. 在并联应用中,确保器件的匹配性以实现均匀负载分布。
    4. 使用过程中需监控结温,防止超过最大工作温度限制。

    5. 兼容性和支持


    ZVN0545GTA 支持多种电路设计和应用场景,其 SOT-223 封装兼容市面上大多数通用 PCB 设计。此外,VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,包括样品供应、开发指导和技术培训,确保客户高效使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查栅极电阻值,优化驱动电路设计。 |
    | 温度过高 | 加强散热设计,使用更大尺寸散热片。 |
    | 导通电阻异常增大 | 确保工作电压满足阈值要求,避免低温运行。|

    7. 总结和推荐


    ZVN0545GTA N-Channel Power MOSFET 凭借其卓越的性能、可靠性及绿色设计,成为工业和消费电子领域的理想选择。其快速开关能力、低导通电阻和良好的并联特性使其适用于高频、高效率的电力转换应用。总体而言,强烈推荐 ZVN0545GTA 用于需要高性能和环保特性的电子系统设计中。
    最终评分:★★★★★(5/5)
    推荐指数:★★★★★(极高推荐)
    联系 VBsemi 官方客服:400-655-8788,获取更多技术支持和购买信息!

ZVN0545GTA-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 8Ω(mΩ)
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 1A
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
长*宽*高 7.3mm*6.8mm*1.9mm
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZVN0545GTA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZVN0545GTA-VB数据手册

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ZVN0545GTA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
2500+ ¥ 1.6556
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