处理中...

首页  >  产品百科  >  VBL17R20S

VBL17R20S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=650V;ID =20A;RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和可靠性,广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用,包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
供应商型号: VBL17R20S TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL17R20S

VBL17R20S概述

    VBL17R20S N-Channel 700V (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBL17R20S 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道超结功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它特别适用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及高强度放电(HID)照明和荧光灯管的镇流电路等应用。其主要特点在于低栅极电荷、低输入电容、降低的开关和导通损耗等。

    2. 技术参数


    - 工作电压(VDS): 700 V
    - 最大导通电阻(RDS(on)): 25°C时 0.21 Ω (VGS = 10 V)
    - 总栅极电荷(Qg): 110 nC
    - 栅源电荷(Qgs): 15 nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 32 nC
    - 最大耗散功率(PD): 227 W
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压(VGS): ±30 V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C): VGS = 10 V时 20 A (TC = 25 °C), 14 A (TC = 100 °C)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 691 mJ

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg): 减少开关损耗。
    - 低输入电容(Ciss): 减少栅极驱动损耗。
    - 超低栅极电荷(Qg): 有助于实现更快的开关速度。
    - 雪崩能量等级(UIS): 能够承受高能量的瞬态冲击。
    - 优化热设计: 通过降低热阻来提高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    VBL17R20S 可以应用于各种高频电力转换系统,例如:
    - 服务器和电信电源: 在这些高可靠性要求的应用中,能够提供稳定的电流输出。
    - 开关模式电源(SMPS): 适合高效能需求的电源管理。
    - 荧光灯管的镇流电路: 用于控制和保护荧光灯的工作条件。
    - 高强度放电(HID)照明: 适合高功率照明系统的应用。
    使用建议:
    - 确保散热器设计符合产品规格书的要求,以避免过热损坏。
    - 在电路布局中尽量减少寄生电感,以确保稳定操作。

    5. 兼容性和支持


    VBL17R20S 可与其他标准组件配合使用,如电感器、电容器和控制器等。制造商提供了全面的技术支持和维护服务,包括详细的用户手册和技术文档,帮助用户快速上手并解决常见问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中出现异常噪音。
    - 解决方案: 检查电路板是否有寄生电感,调整栅极电阻以优化开关速度。

    - 问题: 设备温度过高。
    - 解决方案: 检查散热器的设计和安装,确保良好的空气流通。

    7. 总结和推荐


    VBL17R20S 是一款性能卓越、高可靠性的超级结MOSFET,适合各种高要求的电力转换和驱动应用。它的低损耗特性和高效的开关性能使其在市场上具有很强的竞争优势。强烈推荐给需要高性能电力转换解决方案的设计工程师。
    如需进一步的信息和技术支持,请联系台湾VBsemi的服务热线:400-655-8788。

VBL17R20S参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL17R20S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL17R20S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBL17R20S VBL17R20S数据手册

VBL17R20S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 10.7639
100+ ¥ 9.9666
500+ ¥ 9.1693
1000+ ¥ 8.7706
库存: 30000
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 53.81
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0