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20N60C2-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =20A;RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在工业自动化领域,可用于控制器、伺服驱动器和工业电源等设备,以实现高效能源转换和精确控制。
供应商型号: 20N60C2-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 20N60C2-VB

20N60C2-VB概述

    20N60C2-VB N-Channel 650 V Super Junction MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    20N60C2-VB 是一款由台湾VBsemi Electronics公司生产的N-Channel Super Junction MOSFET。该产品主要用于高电压和高频应用场合,如电信电源、照明、消费电子、工业焊接和电池充电器等。它具备低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),这使得其具有优异的开关性能和更低的能量损耗。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | 650 | V |
    | 最大漏源电流 | 20 | A |
    | 漏源导通电阻 | 0.19 | Ω |
    | 最大总栅极电荷 | 106 | nC |
    | 输入电容(Ciss) | 2322 | pF |
    | 输出电容(Coss) | 105 | pF |
    | 转移电容(Crss) | 4 | pF |
    | 有效输出电容(Co) | 84 | pF |
    | 门极-源极电荷(Qgs) | 14 | nC |
    | 门极-漏极电荷(Qgd) | 33 | nC |
    | 工作温度范围 | -55 to 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg):减少开关损耗,提高效率。
    - 低输入电容(Ciss):减少开关过程中的能量损耗。
    - 低反向恢复时间(trr)和反向恢复电荷(Qrr):提供快速且高效的开关性能。
    - 低反向恢复电流(IRRM):减小在高频开关时产生的损耗。
    - 超低栅极电荷(Qg):降低开关过程中的能量损失,提升能效。
    - 重复性脉冲能级(EAS):能够在严苛的使用环境下稳定工作。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电信电源:适用于服务器和通信设备中的电源供应系统,能提供高效稳定的电源转换。
    - 照明:可用于高亮度放电灯(HID)和荧光灯球泡的控制。
    - 消费和计算:适用于ATX电源供应系统,能够提供高性能和可靠性的电源管理。
    - 工业焊接:适用于各种工业焊接设备,确保高效和稳定的焊接过程。
    - 电池充电器:适合用于各类电池充电器,提供高效的充电管理。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需要考虑MOSFET的工作频率和电流要求,选择合适的驱动器和散热方式。
    - 确保电路设计符合EMI/EMC标准,避免不必要的电磁干扰。
    - 使用高质量的焊锡工艺和散热片,以确保长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 与其他电子元件的兼容性:20N60C2-VB与大多数标准驱动器和外围电路兼容,可用于广泛的应用领域。
    - 技术支持:VBsemi提供全面的技术支持和服务,包括样品测试、产品选型、应用指导和技术培训等。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中过热 | 改善散热设计,增加散热片或者改进散热风道。 |
    | 高频开关时出现噪声 | 使用滤波器或增加屏蔽层,减少外部干扰。 |
    | MOSFET损坏 | 确保正确的驱动电压和电流限制,避免过载操作。 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    20N60C2-VB是一款高性能的N-Channel Super Junction MOSFET,以其卓越的开关性能和低能耗特点,在多种应用领域表现出色。其超低的栅极电荷和反向恢复时间使得它在高频和高电压环境中展现出色的可靠性。同时,其广泛的兼容性和强大的技术支持使其成为众多工业应用的理想选择。
    推荐:
    对于需要高效能、低能耗和高可靠性解决方案的设计者来说,20N60C2-VB无疑是一个非常理想的选择。它特别适用于服务器电源、通信设备、照明控制和电池充电器等应用领域。强烈推荐该产品用于高功率和高频率应用的电路设计。

20N60C2-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 20A
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
通道数量 1
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

20N60C2-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

20N60C2-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 20N60C2-VB 20N60C2-VB数据手册

20N60C2-VB封装设计

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