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34NM60NDTK31A60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: 34NM60NDTK31A60-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 34NM60NDTK31A60-VB

34NM60NDTK31A60-VB概述


    产品简介


    34NM60NDTK31A60-VB 是一款高性能的 N 沟道超级结功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg),适用于多种电力转换应用。这种 MOSFET 的关键优势在于其出色的开关性能和低损耗,特别适合于高效率的电源转换场合。
    主要应用领域 包括:
    - 服务器和电信电源系统
    - 开关模式电源供应(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应(PFC)
    - 照明(高强放电灯 HID 和荧光灯照明)
    - 工业应用(焊接、感应加热、电机驱动、电池充电、可再生能源和太阳能光伏逆变器)

    技术参数


    - 额定电压(VDS):700 V(最大值)
    - 导通电阻(RDS(on)):0.06 Ω(典型值,在 25°C 下)
    - 总门极电荷(Qg):273 nC(最大值)
    - 输入电容(Ciss):5682 pF(典型值)
    - 输出电容(Coss):251 pF(典型值)
    - 反向转移电容(Crss):1 pF(典型值)
    - 持续漏极电流(ID):47 A(TC = 25°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):142 A
    - 雪崩能量(EAS):1410 mJ
    - 最大功耗(PD):415 W
    - 绝对最大额定温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    34NM60NDTK31A60-VB 具备多种独特的功能和优势,使其在众多电力转换应用中脱颖而出:
    1. 低门极电荷和雪崩耐受能力:具备极低的门极电荷(Qg)和重复雪崩能量(EAS),能够有效降低电路的开关损耗,提升整体效率。
    2. 快速开关性能:低输入电容(Ciss)和反向转移电容(Crss),使 MOSFET 在高频开关时表现出色。
    3. 出色的热性能:最大结温至环境热阻(RthJA)为 40°C/W,确保在极端环境下依然保持稳定。
    4. 适用于多种高压应用:额定电压高达 700V,适用于需要高可靠性的电力系统。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于各种高压电力转换系统中,例如服务器电源、电信设备电源和工业控制系统等。为了更好地利用该产品的性能优势,建议:
    1. 优化电路布局:减少寄生电感,增加接地平面,提高系统的抗干扰能力和可靠性。
    2. 合理设计散热系统:由于高功率密度特性,务必保证良好的散热条件,以避免因过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    - 兼容性:34NM60NDTK31A60-VB 采用 TO-247AC 封装,易于与现有电路板集成,且与市面上多数标准电路板兼容。
    - 厂商支持:如需技术支持,可通过公司服务热线 400-655-8788 联系制造商,获取更多技术支持和服务信息。

    常见问题与解决方案


    Q: 为何该产品需要严格控制电路布局?
    A: 严格的电路布局有助于减少寄生电感,确保电路在高频操作下的稳定性。
    Q: 如何改善散热效果?
    A: 使用高效散热片并提供足够的气流,有助于降低器件温度,延长使用寿命。

    总结和推荐


    34NM60NDTK31A60-VB 作为一款高性能的 N 沟道超级结功率 MOSFET,具备出色的开关特性和高可靠性,适用于多种高压电力转换应用。其低损耗和高效能使其在市场中具有显著的竞争优势。强烈推荐用于需要高可靠性和高效能的应用场合。

34NM60NDTK31A60-VB参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 47A
最大功率耗散 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

34NM60NDTK31A60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

34NM60NDTK31A60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 34NM60NDTK31A60-VB 34NM60NDTK31A60-VB数据手册

34NM60NDTK31A60-VB封装设计

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