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UTT100P03L-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;P沟道;VDS=-30V;ID =-100A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-3V;可以用作开关电源中的功率开关器件
供应商型号: UTT100P03L-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT100P03L-TA3-T-VB

UTT100P03L-TA3-T-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30V MOSFET(型号为UTT100P03L-TA3-T)是一款用于各种应用场合的高效电子元件。这款MOSFET主要用于实现电流控制和开关功能,在直流-直流转换器、电机驱动和电源管理等领域有着广泛的应用。作为一款沟道式P-MOSFET,它能够承受30V的电压,并且具有优良的电气特性。

    技术参数


    以下为P-Channel 30V MOSFET的技术参数摘要:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极-源极击穿电压 | - | - | 30 | V |
    | 栅极-体泄漏电流 | - | ±100 | - | nA |
    | 开启状态漏极电流 | - | - | 120 | A |
    | 开启状态漏源导通电阻 | 0.004 | - | 0.008 | Ω |
    | 输入电容 | - | 8000 | - | pF |
    | 输出电容 | - | 1565 | - | pF |
    | 转移电容 | - | 715 | - | pF |
    绝对最大额定值:
    - 栅极-源极电压:±20V
    - 连续漏极电流(TJ=175°C):80A(TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流:300A
    - 冲击吸收电流:80A

    产品特点和优势


    P-Channel 30V MOSFET具有以下显著特点和优势:
    - 遵守RoHS标准,无铅化生产;
    - 极低的栅极阈值电压,保证良好的开关性能;
    - 优异的高温性能,适用于高环境温度下的应用;
    - 短路保护机制,确保在过载情况下的安全运行;
    - 低导通电阻,实现高效的功率转换。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直流-直流转换器:在DC-DC转换器中,P-Channel 30V MOSFET可以作为开关管,用于调节输出电压。
    - 电池管理系统:在电动汽车的电池管理系统中,可以用来监控和管理电池的充放电过程。
    使用建议
    - 在设计电路时,注意匹配合适的栅极电阻,以避免开关过程中产生的瞬态过压现象。
    - 使用散热片时,选择适合的热阻抗材料,确保MOSFET在高功率运行时的散热效果。

    兼容性和支持


    UTT100P03L-TA3-T与大多数现有的电子设备和电路板是兼容的。该产品的制造商提供了详尽的用户手册和技术支持,帮助客户更好地理解和使用这一组件。此外,制造商还提供长期的售后服务和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何避免MOSFET过热?
    - 解决方案:正确选用散热装置,并根据手册中的热阻抗数据计算散热需求,确保MOSFET的结温不超出限制。
    - 问题二:栅极信号不稳定导致MOSFET开关失效。
    - 解决方案:检查并调整栅极驱动电路,确保有足够的驱动电流和正确的脉冲宽度,以保持稳定的栅极电压。

    总结和推荐


    总体来看,P-Channel 30V MOSFET UTT100P03L-TA3-T是一款非常适合工业和消费类电子产品中的高可靠性的开关管。它的低导通电阻、优秀的高温特性和良好的栅极控制性能使其在市场上具备很强的竞争优势。如果你正在寻找一个可靠且高效的MOSFET组件,那么这款产品无疑是一个不错的选择。

UTT100P03L-TA3-T-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 100A
FET类型 2个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ(mΩ)
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UTT100P03L-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT100P03L-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT100P03L-TA3-T-VB UTT100P03L-TA3-T-VB数据手册

UTT100P03L-TA3-T-VB封装设计

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型号 价格(含增值税)
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