处理中...

首页  >  产品百科  >  VBMB165R06

VBMB165R06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=650V;ID =6A;RDS(ON)=840mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=1050mΩ@VGS=4.5V;VGS=±30V;Vth=3.5V;该产品具有高的漏极-源极电压和适中的漏极电流使其适用于工业电机驱动系统中的高压电路和高功率电路。
供应商型号: VBMB165R06 TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB165R06

VBMB165R06概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    本产品为4VQFS系列N沟道功率MOSFET,具有超低导通电阻和门电荷,适用于多种高效率电源转换应用。其设计特点包括低比值品质因数(Ron x Qg)、低输入电容(Ciss)及减小的开关和导通损耗。它广泛应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明设备及工业控制等领域。

    技术参数


    - 最大耐压:VDS = 650V
    - 通态电阻(25°C):RDS(on) ≤ 0.06 Ω(VGS = 10 V)
    - 最大门电荷:Qg ≤ 13 nC
    - 最大门源电荷:Qgs ≤ 11 nC
    - 最大门漏电荷:Qgd ≤ 14 nC
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压:VGS = ±30 V
    - 连续漏电流(TJ = 150 °C):ID ≤ 180 A
    - 脉冲漏电流:IMD
    - 单脉冲雪崩能量:EAS ≤ 97 mJ
    - 最大功耗:PD ≤ 194 W
    - 操作结温和存储温度范围:TJ, Tstg = -55 °C 到 +150 °C
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境热阻:RthJA ≤ 63 °C/W
    - 最大结到外壳热阻:RthJC ≤ 0.6 °C/W
    - 其他参数:
    - 静态参数如阈值电压、反向泄漏电流等符合行业标准
    - 动态参数如输出电容、开关时间等满足高性能要求

    产品特点和优势


    4VQFS系列N沟道功率MOSFET的主要优势包括:
    - 极低的导通电阻(RDS(on)),有效降低功耗
    - 超低的门电荷(Qg),提高开关速度,减少开关损耗
    - 减少的漏极-源极电容(Coss),改善电路性能
    - 低输入电容(Ciss),有助于减小驱动器负担
    - 优秀的雪崩能量等级,确保可靠性

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源系统:在高电流应用中发挥关键作用,需确保散热良好以维持高效率
    - 开关模式电源(SMPS):提供高效率的电流转换,适合于小型化设计
    - 工业控制:需要高度可靠的电源管理解决方案,4VQFS可确保长期稳定运行
    建议根据具体应用需求选择合适的安装方式,并确保散热措施得当,以保持产品性能稳定。

    兼容性和支持


    4VQFS系列N沟道功率MOSFET可以与多种电源管理和驱动电路兼容。厂商提供详尽的技术文档和支持服务,用户可以在官方技术支持页面上找到更多详细信息。如有任何疑问,可通过服务热线:400-655-8788联系VBsemi公司的技术人员获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定适合的应用温度?
    - 答:根据数据表中的操作结温范围(-55 °C 至 +150 °C),结合具体应用环境选择合适的型号。若应用在高温环境下,需特别注意散热措施。
    2. 问:如何保证4VQFS的长期稳定性?
    - 答:建议在设计阶段进行充分的热仿真,确保MOSFET工作时不会过热。定期检测产品状态并采取预防措施是保证其长期稳定的必要步骤。
    3. 问:如何正确焊接此MOSFET?
    - 答:遵循焊接指南,设定峰值焊接温度不超过300°C,持续时间为10秒。焊接过程中要避免过高的热冲击,以免损坏内部结构。

    总结和推荐


    4VQFS系列N沟道功率MOSFET凭借其卓越的性能、出色的可靠性和广泛的适用性,在众多高效率电源转换应用中表现出色。其低功耗、高开关速度的特点使其成为现代电力电子系统不可或缺的关键组件。强烈推荐给需要高性能功率MOSFET的应用开发者和系统集成商。

VBMB165R06参数

参数
通道数量 1
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 6A
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 840mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 5.3mm*6.2mm*1mm
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBMB165R06厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB165R06数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB165R06 VBMB165R06数据手册

VBMB165R06封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336