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65E6600-VB TO252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=700V;ID =10A;RDS(ON)=600mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可用于汽车电动化系统、发动机控制单元和车载充电设备等汽车电子控制领域中的功率管理和电路保护。
供应商型号: 65E6600-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 65E6600-VB TO252

65E6600-VB TO252概述


    产品简介


    这款N-沟道(D-S)超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高效的电源管理解决方案,广泛应用于多种高效率应用中。这种类型的MOSFET以其低导通电阻(Ron)和快速开关速度而著称,是现代电子设备不可或缺的组成部分。它们特别适用于服务器和电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明系统中的高亮度放电灯(HID)和荧光灯球泡控制等领域。此外,它们还广泛应用于工业设备中,以提高整体系统的能效。

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 700 V
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | 0.5 Ω
    | 总栅极电荷 (Qg) | 38 nC | 56 nC |
    | 栅极-源极电荷 (Qgs) | 4 nC
    | 栅极-漏极电荷 (Qgd) | 4.2 nC
    | 输出电容 (Coss) | 56 pF
    | 输入电容 (Ciss) | 680 pF
    | 反向传输电容 (Crss)
    | 工作温度范围 (TJ) | -55到+150°C
    | 绝对最大漏极电流 (IDM) | 30 A
    | 反复瞬态雪崩能量 (EAS) | 132 mJ

    产品特点和优势


    这款超级结MOSFET具有多项显著特点:
    - 低导通电阻与栅极电荷:这款MOSFET在10V栅极电压下,具有非常低的导通电阻(RDS(on)),并且总栅极电荷(Qg)也很低,从而降低了功耗。
    - 快速开关特性:低输入电容(Ciss)和超低栅极电荷(Qg)使得其能够在高频应用中表现出色,实现更高效的开关转换。
    - 耐用性和可靠性:该产品具有高重复瞬态雪崩能量(EAS),确保了在极端条件下的稳定运行。
    - 优化的应用灵活性:适用于各种电压和电流水平,具备广泛的适用性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在服务器和电信电源系统中,这款MOSFET可以有效地降低电源损耗,提升能效。
    - 在荧光灯和HID灯的驱动器中,其出色的热稳定性确保了照明设备在高温环境下的可靠运行。
    - 在SMPS和其他开关电源电路中,低导通电阻和快速开关速度能够显著减少电力转换过程中的能量损失。
    使用建议
    - 要充分利用这款MOSFET的优势,在设计电路时需注意散热,尤其是在高频切换场景下。
    - 为确保最佳性能,建议使用适当的栅极驱动电阻(Rg)来优化开关时间和电流转换率。

    兼容性和支持


    该产品与多种标准封装兼容,例如TO-220AB、TO-252等。厂商提供全面的技术支持和服务,包括详细的安装指南、应用笔记和专业技术人员咨询。如果您有任何具体需求或疑问,可联系制造商获取详细的技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中发热严重 | 检查并确保适当的散热措施,使用更大散热片或增加散热器数量。|
    | 瞬态响应时间较长 | 检查栅极驱动电路的设计,调整栅极电阻(Rg)以优化开关速度。|
    | 寿命短 | 检查工作条件是否超出绝对最大额定值,如持续工作在极限温度范围内。|

    总结和推荐


    总结而言,这款N-沟道超级结MOSFET凭借其出色的低导通电阻、快速开关能力和耐用性,在各类电源管理和驱动应用中表现出色。特别是对于需要高效能、高可靠性的应用场合,如服务器、电信和工业控制系统,推荐使用这款产品。通过仔细设计和适当的支持,用户可以充分利用其潜在的高性能。强烈推荐在需要高效功率管理的项目中使用此产品。

65E6600-VB TO252参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 700V
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 600mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

65E6600-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

65E6600-VB TO252数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 65E6600-VB TO252 65E6600-VB TO252数据手册

65E6600-VB TO252封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 4.1395
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