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IRFSL59N10D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=100V;ID =100A;RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=2.5V;该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。
供应商型号: IRFSL59N10D-VB TO262
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFSL59N10D-VB

IRFSL59N10D-VB概述

    IRFSL59N10D-VB N-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    IRFSL59N10D-VB 是一款适用于高功率应用的 N 沟道 100V(D-S)MOSFET。它采用先进的 TrenchFET® 技术制造,具有低导通电阻和高温稳定性。该产品广泛应用于电源转换、电机控制和其他需要高效率和高可靠性系统的场合。

    技术参数


    IRFSL59N10D-VB 的技术参数如下:
    - 工作电压:最高耐压为 100V。
    - 最大持续漏极电流:在 25°C 时为 100A,在 125°C 时为 75A。
    - 最大脉冲漏极电流:为 300A。
    - 单次脉冲雪崩能量:为 280mJ。
    - 最大功率耗散:在 TO-220AB 和 TO-263 封装下为 250W,自由空气环境下为 3.75W(在 25°C 下)。
    - 热阻抗:TO-263 封装的结到环境热阻为 40°C/W,TO-220AB 封装为 62.5°C/W。
    - 结温范围:-55°C 到 175°C。

    产品特点和优势


    IRFSL59N10D-VB 的独特优势包括:
    - 高耐温性:最大结温可达 175°C,适合在极端环境下的应用。
    - 高可靠性:符合 RoHS 标准,环保且耐用。
    - 低导通电阻:不同工作条件下的 RDS(on) 最低可达 0.0085Ω。
    - 快速开关特性:在标准测试条件下,门极电荷(Qg)为 105 至 160nC。

    应用案例和使用建议


    IRFSL59N10D-VB 可用于多种应用场合,例如:
    - 电源转换:在 DC-DC 转换器中作为开关管,实现高效能源转换。
    - 电机控制:用于电机驱动电路,提供高效的电流控制。
    - LED 照明:作为 LED 驱动电路中的关键组件,确保电流稳定。
    使用建议:
    - 散热管理:在高功率应用中,需注意良好的散热设计,以避免温度过高导致器件损坏。
    - 驱动电路优化:通过优化门极驱动电路,可以进一步提高开关速度,减少开关损耗。

    兼容性和支持


    IRFSL59N10D-VB 支持多种封装形式(如 TO-220AB 和 TO-263),这使得它可以轻松集成到不同的系统设计中。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,确保用户能够充分发挥其性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境中出现过热现象。
    解决方案:增加散热片或改进散热设计。

    - 问题:开关速度慢,效率低下。
    解决方案:优化门极驱动电路,减少开关延迟时间。

    总结和推荐


    IRFSL59N10D-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于各种高要求的应用场合。它的高耐温性、低导通电阻和快速开关特性使其在市场上具有很强的竞争优势。强烈推荐在需要高效率和可靠性的应用中使用这款产品。

IRFSL59N10D-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 100A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
长*宽*高 3.2mm*3.2mm*800μm
通用封装 TO-262
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFSL59N10D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFSL59N10D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFSL59N10D-VB IRFSL59N10D-VB数据手册

IRFSL59N10D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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