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VBL165R11S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=650V;ID =11A;RDS(ON)=420mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可用于LED照明系统中的驱动器模块,提供稳定的电源和精准的电流控制,实现高效能的照明解决方案。
供应商型号: VBL165R11S TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL165R11S

VBL165R11S概述

    N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品是一款N-Channel 650V(D-S)超级结功率MOSFET,属于高性能功率半导体器件。它具有低导通电阻和高耐压等显著特性,适用于多种工业应用场合,如服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源、高强度放电照明以及荧光灯镇流器等。其独特的性能使其在提高能源效率和减少电路损耗方面具有显著优势。

    技术参数


    - 额定电压:650V
    - 最大漏源电压(TJ max):700V
    - 最大栅源电压:±30V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C):25°C时11A,100°C时9.7A
    - 脉冲漏极电流:55A
    - 单次脉冲雪崩能量:132mJ
    - 最大耗散功率:83/83/31W
    - 热阻:最大结到环境热阻60°C/W;最大结到管壳热阻0.6°C/W
    - 导通电阻:在25°C时最大为0.42Ω(VGS = 10V)
    - 总栅极电荷:最大38nC
    - 输入电容:最大680pF
    - 反向传输电容:未提供
    - 有效输出电容(与能量相关):最大63pF
    - 有效输出电容(与时间相关):最大113pF
    - 栅源电荷:最大4nC
    - 栅漏电荷:未提供
    - 反向恢复时间:270ns
    - 反向恢复电荷:3.3μC
    - 反向恢复峰值电流:30A
    - 导通延迟时间:13~25ns
    - 上升时间:11~35ns
    - 关断延迟时间:-81~90ns
    - 下降时间:25~40ns

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:具有非常低的栅极电荷(Qg),从而降低了开关损耗。
    - 高耐压:能够在650V的电压下工作,适用于高压环境。
    - 低导通电阻:具有低至0.42Ω的最大导通电阻(RDS(on)),能显著减少电力损耗。
    - 快速开关性能:其反向恢复时间和电荷均非常低,有助于实现更快的开关速度。

    应用案例和使用建议


    这款N-Channel 650V(D-S)超级结功率MOSFET适用于多种工业应用,例如服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及各种照明设备,特别是高强度放电(HID)灯具和荧光灯镇流器。建议在设计电路时考虑其低栅极电荷和快速开关特性,以实现更高的效率和更低的成本。

    兼容性和支持


    本产品采用D2PAK封装(TO-263),适用于广泛的电源和照明应用。制造商提供了全面的技术支持和维护信息,确保用户能够获得最佳的应用体验。此外,产品还符合RoHS和无卤素标准,适合环保要求高的应用场合。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极电荷过高导致开关损耗增加。
    - 解决方案:选择合适的栅极驱动电阻(Rg),减少栅极电荷的影响。

    2. 问题:长时间使用后出现过温现象。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,并合理控制工作电流,避免超过最大允许值。
    3. 问题:反向恢复过程中产生振荡。
    - 解决方案:在电路中加入适当的缓冲电路,减小振荡影响。

    总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 650V(D-S)超级结功率MOSFET在设计上表现出色,拥有出色的耐压能力和低导通电阻,特别适用于需要高效能量转换的应用。无论是对于新项目还是现有系统的升级,它都是一个值得信赖的选择。强烈推荐用于要求高可靠性和高效率的应用场景。

VBL165R11S参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 420mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 11A
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL165R11S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL165R11S数据手册

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VBL165R11S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
1000+ ¥ 4.1395
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