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IXFH35N30-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247\n凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: IXFH35N30-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFH35N30-VB

IXFH35N30-VB概述

    N-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    IXFH35N30-VB是一款低导通电阻的N沟道超结功率MOSFET。该产品主要用于开关电源(SMPS)、不间断电源、高速功率开关、硬开关及高频电路等领域。由于其具备低栅极电荷(Qg)和优秀的抗雪崩能力,它能在各种高要求的应用中提供卓越的性能。

    2. 技术参数


    以下是IXFH35N30-VB的关键技术参数:
    - VDS (最大漏源电压): 500 V
    - RDS(on) (典型导通电阻): 0.080 Ω (VGS = 10 V)
    - Qg (最大总栅极电荷): 350 nC
    - Qgs (栅源电荷): 85 nC
    - Qgd (栅漏电荷): 180 nC
    - 最大脉冲漏极电流: 180 A
    - 最大单次脉冲雪崩能量: 910 mJ
    - 重复雪崩电流: 40 A
    - 重复雪崩能量: 51 mJ
    - 最大功耗: 530 W (TC = 25 °C)
    - 门极-源极泄漏电流: ± 100 nA (VGS = ± 30 V)
    - 零门极电压漏极电流: 最大 50 μA (VDS = 500 V, VGS = 0 V)

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg): 使得驱动要求简化,减少功率损耗。
    - 改善的门极、雪崩和动态dV/dt坚固性: 提高了可靠性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压/电流: 确保稳定性能。
    - 低导通电阻(RDS(on)): 提升效率。
    - 符合RoHS指令2002/95/EC: 环保材料。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源(SMPS): 利用其低RDS(on)特性实现高效转换。
    - 不间断电源: 在电源波动情况下提供稳定供电。
    - 高频率电路: 基于其高频响应能力。
    - 硬开关电路: 通过改善的dV/dt特性增强可靠性。
    使用建议:
    - 确保电路设计时充分考虑栅极驱动要求,以减少栅极充电时间。
    - 注意热管理,特别是在高电流脉冲期间避免过热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于标准电源电路,支持多种封装形式。
    - 厂商支持: 客户可以通过台湾VBsemi公司的服务热线获得技术支持和维护。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备过热怎么办?
    - 解决方案: 改善散热设计,确保设备运行温度在安全范围内。

    - 问题2: 导通电阻异常怎么办?
    - 解决方案: 检查连接是否正确,确保电压和电流处于规定范围内。

    7. 总结和推荐


    IXFH35N30-VB凭借其低RDS(on)、高可靠性以及优异的性能,适用于多种高要求应用场合。尽管成本略高,但其出色的效率和稳定性使其成为值得投资的选择。强烈推荐在关键应用中采用此产品。

IXFH35N30-VB参数

参数
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 500V
Id-连续漏极电流 50A
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFH35N30-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFH35N30-VB数据手册

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IXFH35N30-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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