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IXFH26N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =20A;RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在工业自动化领域,可用于控制器、伺服驱动器和工业电源等设备,以实现高效能源转换和精确控制。
供应商型号: IXFH26N60-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFH26N60-VB

IXFH26N60-VB概述


    产品简介


    IXFH26N60-VB N-Channel 650 V Super Junction MOSFET
    IXFH26N60-VB 是一款高性能的 N 沟道 650V 超级结 MOSFET。它采用 TO-247AC 封装,适用于多种高功率转换应用。这款 MOSFET 主要用于开关模式电源(SMPS)、电信设备、工业焊接设备及可再生能源系统等领域。IXFH26N60-VB 以其低损耗和高效率著称,使其成为电力电子系统中不可或缺的组件。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 650 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th)| 2 | 4 V |
    | 栅漏电荷 | Qgd | 33 nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | 14 nC |
    | 总栅电荷 | Qg | 71 106 | nC |
    | 热阻(结到环境) | RthJA 62 °C/W |
    | 集电极连续电流 | IC | 25 13 | A |
    | 最大耗散功率 | PD 208 W |
    | 开启延迟时间 | td(on) 22.4 | 46.8 | ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) 68 | 102 | ns |

    产品特点和优势


    特点:
    - 低恢复时间(trr)
    - 低恢复电荷(Qrr)
    - 低重复单脉冲雪崩能量(EAS)
    - 低输入电容(Ciss)
    优势:
    - 低导通电阻(RDS(on)),有效降低功耗。
    - 超低门极电荷(Qg),有利于提高开关速度。
    - 适合高功率应用的高耐压能力(650V)。
    这些特性使得 IXXH26N60-VB 在高压和高频应用中表现出色,特别是在电信、工业和可再生能源领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源供应
    - 高强度放电(HID)灯
    - 阳极保护电池充电器
    - 太阳能光伏逆变器
    使用建议:
    - 为减少热阻,建议在电路设计中使用散热片。
    - 为了最大限度地发挥低损耗的优势,应确保电路布局尽量减小寄生电感和杂散电容。
    - 在设计高电流应用时,考虑适当的散热措施以避免过热。

    兼容性和支持


    IXFH26N60-VB 与其他标准 N 沟道 MOSFET 在电路设计上具有良好的兼容性。制造商提供详细的技术文档和在线支持,帮助用户快速解决问题并优化性能。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率不稳定 | 检查电路布局和栅极驱动信号 |
    | 温度过高 | 使用散热片或增加散热面积 |
    | 开启延迟时间长 | 检查栅极电阻是否过大 |

    总结和推荐


    IXFH26N60-VB 是一款非常适合高功率转换应用的 N 沟道超级结 MOSFET。其低导通电阻和高耐压特性使其在电信、工业及可再生能源应用中表现优异。对于追求高效能和高可靠性的电力电子工程师来说,IXFH26N60-VB 是一个非常值得推荐的选择。

IXFH26N60-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 20A
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ(mΩ)
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFH26N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFH26N60-VB数据手册

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IXFH26N60-VB封装设计

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