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K2484-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的MOSFET可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。 TO220;N沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: K2484-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2484-VB

K2484-VB概述

    # K2484-VB N-Channel 900V Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    K2484-VB 是一款高性能的 N 沟道 900V 超级结(Super Junction)功率 MOSFET,适用于高压开关电源设计。该器件采用 TO-220AB 封装形式,具有卓越的动态 dV/dt 能力、高重复雪崩耐量和快速开关特性。其独特的设计使其在工业、通信设备及新能源汽车领域得到广泛应用。
    主要特点
    - 动态 dV/dt 额定值
    - 反复雪崩耐量
    - 中心安装孔隔离
    - 快速开关能力
    - 易于并联
    - 简单驱动需求
    - 符合 RoHS 规范
    应用领域
    - 开关电源
    - 电机控制
    - 新能源汽车充电系统
    - 工业逆变器

    技术参数


    以下是 K2484-VB 的关键性能指标和技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 900 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 栅漏电荷 | Qg | - | - | 200 | nC |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 1.3 | - | Ω |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 24 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 110 | - | nC |
    | 内部漏极电感 | LD | - | 5.0 | - | nH |
    | 内部源极电感 | LS | - | 13 | - | nH |
    其他关键指标:
    - 最大功率耗散:190W(TC=25°C)
    - 最高结温:150°C
    - 最低启动温度:-55°C
    - 重复雪崩能量:19mJ
    - 元件封装:TO-220AB

    产品特点和优势


    K2484-VB 在同类产品中具备显著的优势:
    1. 高可靠性:通过反复雪崩测试验证,确保长期运行稳定性。
    2. 快速开关:低栅电荷和高 dV/dt 额定值使得开关损耗最小化。
    3. 易用性:简单的驱动要求和易于并联设计降低了开发难度。
    4. 环保认证:符合 RoHS 和无卤素标准,适合绿色制造需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K2484-VB 常用于高频逆变器中,其快速开关特性有效降低整体能耗。例如,在电动汽车车载充电机中,该器件能够承受高达 900V 的母线电压,同时提供出色的效率表现。
    使用建议
    1. 热管理:确保良好的散热设计以避免因高温导致的性能下降。
    2. 驱动电路:选择适当的驱动电阻以减少振铃效应。
    3. 布局优化:缩短 PCB 上的寄生路径,提高信号完整性。

    兼容性和支持


    K2484-VB 支持主流接口标准,并与多数同类产品具有良好的互换性。制造商提供详尽的技术支持文档和样品服务,帮助客户加速产品开发周期。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关时出现严重过压现象 | 检查驱动电路是否匹配器件参数 |
    | 长时间工作后发热严重 | 检查散热片接触情况并加大散热面积 |

    总结和推荐


    综上所述,K2484-VB 是一款性能卓越的功率 MOSFET,特别适合需要高效率和高可靠性的应用场合。其先进的超级结技术和紧凑封装形式使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要 900V 高压开关的应用项目,强烈推荐选用此产品。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

K2484-VB参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 5A
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2484-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2484-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2484-VB K2484-VB数据手册

K2484-VB封装设计

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100+ ¥ 6.299
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