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IXTP4N80-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=850V;ID =4A;RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可以应用于电机控制模块和工业自动化设备中的电源开关和驱动电路,实现高效、稳定的工业生产过程。
供应商型号: IXTP4N80-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTP4N80-VB

IXTP4N80-VB概述

    IXTP4N80-VB 电子元器件技术手册解析

    产品简介


    IXTP4N80-VB 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,主要应用于电力电子系统中,如电源转换、电机驱动和高频逆变器等。这款 MOSFET 具有高开关速度、低导通电阻和良好的动态特性,使其在高效能应用中表现出色。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):850 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):4.1 A(TC = 25 °C),2.6 A(TC = 100 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):16 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):260 mJ
    - 重复雪崩能量 (EAR):13 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):125 W
    - 最大结到壳热阻 (RthJC):1.0 °C/W
    - 典型导通电阻 (RDS(on)):2.7 Ω(VGS = 10 V)
    - 总栅电荷 (Qg):78 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):9.6 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):45 nC

    产品特点和优势


    - 环保材料:符合 IEC 61249-2-21 和 RoHS 标准,无卤素,适用于对环保要求较高的应用。
    - 快速开关:具有快速开关特性和低开关损耗,适用于高频应用。
    - 易于并联:设计便于并联使用,提高输出电流能力。
    - 简单的驱动需求:驱动简单,减少了外部电路的复杂性。
    - 高可靠性:经过严格的测试和验证,能够在严苛环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:该 MOSFET 常用于电机控制、电源转换器和逆变器等领域。例如,在电动汽车充电器中,可以利用其高耐压和高电流处理能力实现高效的能量转换。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,建议将 MOSFET 安装在具有良好散热效果的散热器上,并确保散热器与 MOSFET 之间的接触面清洁平整。此外,使用短且低阻抗的引线连接 MOSFET,以减少寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXTP4N80-VB 与多种驱动电路兼容,可以广泛应用于各种不同的电力电子系统中。
    - 厂商支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户快速上手和解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的散热器?
    - 解决方法:根据 MOSFET 的功耗和工作环境温度选择合适的散热器,并确保良好的热传导路径。

    - 问题2:如何避免高温引起的损坏?
    - 解决方法:通过有效的散热措施降低 MOSFET 的工作温度,确保不超过其绝对最大额定值。

    - 问题3:如何降低开关损耗?
    - 解决方法:合理配置外部电路参数,如栅极电阻和电容,优化驱动信号,减少开关过程中产生的损耗。

    总结和推荐


    综上所述,IXTP4N80-VB 作为一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,具备优异的电气特性和出色的可靠性。它特别适合于需要高效率和高可靠性的电力电子应用。因此,我们强烈推荐 IXTP4N80-VB 在各种电力电子系统中使用,特别是在追求高效率和稳定性的情况下。

IXTP4N80-VB参数

参数
配置 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7Ω(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 850V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
通道数量 1
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTP4N80-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTP4N80-VB数据手册

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IXTP4N80-VB封装设计

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500+ ¥ 4.3194
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