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K40J60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =47A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于各种需要高功率和精确控制的工业驱动系统,如大型机械设备的电机控制。
供应商型号: K40J60-VB TO-3PN
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K40J60-VB

K40J60-VB概述

    K40J60-VB N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    K40J60-VB 是一款N沟道超级结功率MOSFET,广泛应用于各种高效率电力转换系统中。它具有低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)等特点,适用于多种应用场景,包括服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明(如高强度放电灯和荧光灯)、工业领域(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器和可再生能源,尤其是太阳能逆变器)。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(VDS) | 600 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.06 | Ω |
    | 最大栅源电压(VGS) | ±30 | V |
    | 连续漏极电流(ID) | 47 | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | 142 | A |
    | 雪崩能量(EAS) | 1410 | mJ |
    | 最大功耗(PD) | 415 | W |
    | 绝对最大结温(TJ) | 150 | °C |
    | 热阻抗(RthJA) | 40 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 低阻抗特性:超低栅极电荷(Qg),降低开关和传导损耗。
    - 高可靠性:重复脉冲额定值,脉冲宽度受最高结温限制。
    - 出色的热管理:良好的热阻抗特性,支持高达150°C的结温。
    - 卓越的电容特性:输入电容(Ciss)和输出电容(Coss)优化设计,减少能量损失。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电信电源:适用于需要高效能、低损耗的通信设备中。
    - 太阳能逆变器:具备低开关损耗和高可靠性,适合光伏系统的电力转换。
    - 电机驱动:适合于需要精确控制的电动机驱动系统。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,应特别注意散热设计以确保稳定运行。
    - 在选择驱动电路时,确保栅极电阻(Rg)合适,以避免过高的栅极驱动损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与常见的电源管理和控制系统高度兼容。
    - 支持和服务:提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏极电流过大导致过热 | 确保散热设计合理,增加外部散热器。 |
    | 开关损耗高 | 优化驱动电路,减小栅极电荷(Qg)。 |
    | 反向恢复时间长 | 选择更合适的外部二极管,减少反向恢复时间。 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    - 主要优点:K40J60-VB 具有低阻抗、低输入电容、低损耗等特性,能够显著提高电力转换效率和可靠性。
    - 适用场景:特别适用于要求高性能、高可靠性的电力系统中,如服务器电源、太阳能逆变器和电机驱动系统。
    推荐:
    - 强烈推荐:鉴于其优异的性能和广泛的适用范围,我们强烈推荐 K40J60-VB 用于任何需要高效电力转换的应用场景。

K40J60-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ(mΩ)
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 47A
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PN
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K40J60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K40J60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K40J60-VB K40J60-VB数据手册

K40J60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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