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VBFB19R05S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO251;N沟道;VDS=900V;ID =5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于太阳能逆变器模块,用于太阳能电能的转换和输出,如家庭和商业太阳能发电系统。
供应商型号: VBFB19R05S TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBFB19R05S

VBFB19R05S概述

    VBFB19R05S N-Channel (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBFB19R05S 是一款高性能的N-通道(D-S)超结功率MOSFET,适用于各种电力转换应用。该产品具有低导通电阻、高动态dV/dt评级和快速开关特性,能够显著提高系统的效率和可靠性。

    技术参数


    以下是VBFB19R05S的技术规格:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 900 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 1.3 | Ω |
    | 最大栅极电荷 (Qg) | 200 | nC |
    | 栅极-源极电荷 (Qgs) | 24 | nC |
    | 栅极-漏极电荷 (Qgd) | 110 | nC |
    | 重复脉冲雪崩电流 (IAR) | 7.8 | A |
    | 重复脉冲雪崩能量 (EAR) | 19 | mJ |
    | 最大耗散功率 (PD) | 190 | W |
    | 工作温度范围 (TJ, Tstg) | -55 到 +150 | °C |

    产品特点和优势


    - 动态dV/dt评级:允许更高的瞬态电压,提高了系统的稳定性和可靠性。
    - 重复雪崩评级:在极端条件下保持高可靠性。
    - 中央安装孔隔离:便于安装和散热。
    - 快速开关:减少开关损耗,提高效率。
    - 易于并联:适合需要高电流的应用场景。
    - 简单的驱动要求:降低驱动电路的设计复杂度。

    应用案例和使用建议


    VBFB19R05S 在多种电力转换应用中表现出色,例如电机控制、电源转换器和太阳能逆变器等。在设计这些系统时,建议考虑以下几点:
    - 使用低杂散电感的布局,以减少寄生效应。
    - 设计合理的接地平面,提高散热效果。
    - 选择适当的栅极电阻(Rg),确保快速且可靠的开关操作。

    兼容性和支持


    VBFB19R05S 的安装孔设计使其可以轻松与其他标准封装兼容。制造商提供了详细的技术支持和维护信息,以帮助客户解决问题并确保最佳性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确保器件在高温度下的稳定性?
    答:确保设计中有良好的散热措施,并根据数据表中的热阻参数进行计算。

    2. 问:如何避免栅极电压过高导致的损坏?
    答:使用合适的栅极电阻(Rg),并确保栅极电压不超过±20V。

    总结和推荐


    VBFB19R05S N-Channel (D-S) Super Junction Power MOSFET 展现出了卓越的性能和可靠性。它具备快速开关、低导通电阻等特性,使其成为电力转换应用的理想选择。我们强烈推荐在电力转换系统中使用该产品。
    服务热线:400-655-8788
    该手册详细介绍了VBFB19R05S的技术参数和特点,为用户提供了一种高效、可靠的电力转换解决方案。

VBFB19R05S参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 900V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 11.8mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBFB19R05S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBFB19R05S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBFB19R05S VBFB19R05S数据手册

VBFB19R05S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.1216
100+ ¥ 5.6681
500+ ¥ 5.2147
4000+ ¥ 4.9879
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