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65C6070-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=700V;ID =47A;RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可用于工业设备、电动汽车充电桩等需要高功率转换的场合,提供稳定的电力输出。
供应商型号: 65C6070-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 65C6070-VB

65C6070-VB概述


    产品简介


    产品类型: 快速体二极管MOSFET(型号:65C6070-VB)
    主要功能:
    - 采用E系列技术,具备快速响应和低损耗特性
    - 具有较低的反向恢复时间和栅极电荷
    - 适用于各种开关模式电源和其他电力转换应用
    应用领域:
    - 电信:服务器和通信电源供应
    - 照明:高强度放电灯(HID)和发光二极管(LED)
    - 消费和计算:ATX电源
    - 工业:焊接设备和电池充电器
    - 可再生能源:太阳能光伏逆变器
    - 开关模式电源(SMPS)和其他拓扑结构,如LLC、相移桥(ZVS)、三电平逆变器、AC/DC桥等

    技术参数


    - VDS (最大漏源电压): 750 V
    - RDS(on) (典型导通电阻): 0.070 Ω(25°C, VGS=10V)
    - Qg (最大总栅极电荷): 278 nC
    - Qgs (栅源电荷): 46 nC
    - Qgd (栅漏电荷): 76 nC
    - 连续漏电流: 29 A(TC = 100°C)
    - 脉冲漏电流: 154 A
    - 单脉冲雪崩能量: 596 mJ
    - 最大功耗: 427 W
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 热阻抗: 最大结点至外壳(漏)热阻为0.3°C/W
    - 开关时间: 转换延迟时间为100 ns(典型值)
    - 输入电容: Ciss为5892 pF(VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容: Coss为244 pF
    - 反向传输电容: Crss为-4 pF
    - 栅极输入电阻: Rg为0.2-1.0 Ω(f = 1 MHz,开漏)

    产品特点和优势


    - 高效性: 采用了E系列技术,使产品具有较低的导通电阻(RDS(on))和较低的总栅极电荷(Qg),确保了高效且可靠的性能。
    - 快速响应: 降低了反向恢复时间和栅极电荷,使其适合高频率应用。
    - 低损耗: 通过减少Qrr和IRRM,大大降低了切换损耗,提高了系统的效率。
    - 可靠性: 单脉冲雪崩能量高达596 mJ,表明其具有良好的耐受能力。
    - 广泛的应用范围: 适应性强,可应用于多种场合,包括电信、照明、工业控制和可再生能源系统。

    应用案例和使用建议


    - 案例一: 在通信电源中,此MOSFET可以用于提高服务器电源的效率。使用时,建议将驱动器配置得当,以确保MOSFET的工作状态符合设计要求。
    - 案例二: 在工业焊接应用中,此MOSFET能有效地控制焊接电流,提高焊接质量。建议进行详细测试,以确保焊接电流稳定并达到预期效果。
    - 使用建议: 在设计电路时,注意选择合适的驱动器,同时考虑到散热问题。合理布局电路,减小寄生电感和漏电感,以避免不必要的干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET采用标准TO-247AC封装,易于与其他元件兼容。适用于广泛的电路设计。
    - 支持: 厂商提供全面的技术支持,包括数据手册、应用指南和专业咨询。用户可以通过服务热线400-655-8788联系技术支持团队,获得所需帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题一: 设备过热。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,安装适当的散热器。监测工作温度,避免长时间处于极限工作条件下。
    - 问题二: 开关损耗过高。
    - 解决方案: 选择合适的驱动电阻,降低开关速度。调整栅极驱动电压和电流,减少寄生效应。
    - 问题三: 雪崩能量不足。
    - 解决方案: 确认驱动条件,检查电路设计是否符合要求。必要时更换更大容量的MOSFET。

    总结和推荐


    总体评价:
    65C6070-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET,特别适用于各种高效率的电力转换应用。其优秀的热性能、快速响应能力和低损耗特性使其在市场上具有很强的竞争优势。
    推荐理由:
    鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐给需要高效率电力转换设备的设计者和工程师。如果您正在寻找一款可靠且高效的MOSFET,65C6070-VB无疑是一个明智的选择。

65C6070-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 700V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 47A
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
通道数量 1
最大功率耗散 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

65C6070-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

65C6070-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 65C6070-VB 65C6070-VB数据手册

65C6070-VB封装设计

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