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440N10N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;VDS=100V;ID =21A;RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;适用于便携式电子产品、LED照明、小型家电和医疗设备等多个领域,为各种低功率模块的设计提供了可靠的功率开关解决方案。
供应商型号: 440N10N-VB QFN8(3X3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 440N10N-VB

440N10N-VB概述

    440N10N-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    440N10N-VB 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有极低的 Qgd(反向传输电容),适用于开关损耗要求较低的应用场合。它的主要功能是作为初级侧开关,广泛应用于电源转换电路和其他需要高效能开关操作的电子设备中。

    2. 技术参数


    440N10N-VB 的关键技术和性能参数如下:
    - 基本参数:
    - 额定电压 (VDS): 100 V
    - 连续漏极电流 (ID): 21 A(TC = 25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 50 A
    - 最大连续功耗 (PD): 5.9 W(TC = 25°C)
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 100 V
    - 门限电压 (VGS(th)): 2.5 - 4.5 V
    - 源漏导通电阻 (RDS(on)): 0.036 Ω(VGS = 10 V,ID = 5 A);0.0375 Ω(VGS = 8 V,ID = 5 A)
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 735 pF(VDS = 50 V,VGS = 0 V,f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 160 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 37 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 28.5 nC(VDS = 75 V,VGS = 10 V,ID = 5 A)
    - 热参数:
    - 结点至环境热阻 (RthJA): 33 °C/W(最大值)
    - 结点至引脚热阻 (RthJF): 17 °C/W

    3. 产品特点和优势


    440N10N-VB 的特点和优势包括:
    - 极低的 Qgd,有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 符合 RoHS 和无卤素标准,环保友好。
    - 100% Rg 和 100% 雪崩测试,确保高可靠性。
    - 支持高达 100 V 的电压和 21 A 的连续漏极电流,适合各种高功率应用。

    4. 应用案例和使用建议


    440N10N-VB 主要应用于电源转换、逆变器和其他需要高效率开关操作的场合。例如,在开关电源中,它可以作为初级侧开关,有效降低能耗和提升系统整体效率。使用时应注意散热管理,确保其工作温度不超过额定范围。具体使用时可以根据负载情况调整栅极电阻,以优化开关时间和降低功耗。

    5. 兼容性和支持


    440N10N-VB 采用 DFN 3x3 EP 封装,易于焊接安装。与市场上常见的电源转换设备和模块兼容,可直接替换使用。VBsemi 提供详尽的技术文档和支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 在高温环境下运行时,功耗增加。
    - 解决方案: 增加外部散热装置,确保良好的空气流通。

    - 问题: 开关频率过高导致发热严重。
    - 解决方案: 减少开关频率,适当增加栅极电阻以减缓开关过程。

    - 问题: 长期使用后发现性能下降。
    - 解决方案: 定期检查并维护设备,确保工作环境稳定。

    7. 总结和推荐


    440N10N-VB N-Channel MOSFET 在技术参数、性能指标和可靠性方面表现出色,非常适合高功率密度和高效能需求的应用场合。建议在电源转换、逆变器和电机控制等领域优先选用此产品。其出色的低 Qgd 特性和兼容性使其成为市场上极具竞争力的产品之一。

440N10N-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 21A
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
配置 -
长*宽*高 5.3mm*6.2mm*1mm
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

440N10N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

440N10N-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 440N10N-VB 440N10N-VB数据手册

440N10N-VB封装设计

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