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K22N50-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247 凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: K22N50-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K22N50-VB

K22N50-VB概述

    K22N50-VB N-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K22N50-VB 是一款N沟道超结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高击穿电压(VDS)和低导通电阻(RDS(on))。其广泛应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速功率开关等领域。该器件的特点是低栅极电荷(Qg),可实现简单驱动需求,并且具备改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性。

    技术参数


    - 基本参数
    - VDS(漏源电压):500V
    - RDS(on)(导通电阻):0.080Ω(VGS=10V)
    - Qg(总栅极电荷):350nC
    - Qgs(栅源电荷):85nC
    - Qgd(栅漏电荷):180nC
    - 绝对最大额定值
    - 最大栅源电压VGS:±30V
    - 漏源电压VDS:500V
    - 持续漏极电流ID:25A(TC=25°C)
    - 单脉冲雪崩能量EAS:910mJ
    - 最大功耗PD:530W(TC=25°C)
    - 峰值二极管恢复dv/dt:9.0V/ns
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C到+150°C

    产品特点和优势


    K22N50-VB 具有多项显著优势:
    - 低栅极电荷:简化驱动要求,降低功耗。
    - 增强的耐用性:提高栅极、雪崩和dv/dt的坚固性。
    - 全特性测试:包含完全标定的电容和雪崩电压及电流特性。
    - 低RDS(on):减少导通时的损耗,提高效率。
    - 符合RoHS指令:满足环保要求,适合广泛应用。

    应用案例和使用建议


    K22N50-VB 广泛应用于开关模式电源、不间断电源、高速功率开关等应用。在这些应用中,该器件通过降低导通电阻和栅极电荷来提高系统效率。例如,在SMPS中,它可以帮助实现更高效的电力转换,从而提升整体系统性能。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保考虑热管理和散热问题,以避免过热导致的性能下降。
    - 在使用过程中,建议监控关键参数如栅极电压、漏源电压和温度,以确保正常运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K22N50-VB 可与大多数标准电路板布局兼容,易于集成。
    - 支持:提供详细的技术支持文档,包括安装指南和故障排除手册。如有需要,可联系制造商获取更多技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件过热
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,确保有足够的散热面积和适当的热界面材料。
    2. 问题:启动时不稳定
    - 解决方案:检查驱动电路是否正确配置,尤其是栅极电阻(Rg)的设置。
    3. 问题:性能不佳
    - 解决方案:确认所有连接都牢固无误,并检查是否存在外部干扰。

    总结和推荐


    K22N50-VB 是一款性能优越的N沟道超结功率MOSFET,具备低导通电阻、低栅极电荷和高耐受性等特点。其广泛的应用范围和可靠的性能使其成为许多高压电力转换应用的理想选择。我们强烈推荐使用K22N50-VB,以实现高效、稳定的电力转换。

K22N50-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Id-连续漏极电流 50A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 500V
栅极电荷 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K22N50-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K22N50-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K22N50-VB K22N50-VB数据手册

K22N50-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 11.6277
500+ ¥ 10.6975
900+ ¥ 10.2324
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