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K3462-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=250V;ID =4.5A;RDS(ON)=640mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和便携式电子产品等多个领域的单N沟道MOSFET。
供应商型号: K3462-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3462-VB

K3462-VB概述

    Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高效的电子开关设备,广泛应用于电源管理、电动机控制和照明系统等领域。它具有低导通电阻、快速开关能力和高电流处理能力的特点,使其成为现代电力电子系统中不可或缺的一部分。

    2. 技术参数


    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 250 V
    - 门源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0 - 4.0 V
    - 零门电压漏极电流 \( I{DSS} \): 最大25 μA
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \)(\( V{GS} = 10 V \)): 0.64 Ω
    - 输入电容 \( C{iss} \): 260 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 77 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 15 pF
    - 动态参数
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 14 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 2.7 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 7.8 nC
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 7.0 ns
    - 上升时间 \( tr \): 13 ns
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 250 V
    - 门源电压 \( V{GS} \): ± 20 V
    - 连续漏极电流 \( ID \)(\( TC = 25 °C \)): 4.5 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 130 mJ
    - 峰值二极管恢复 \( dV/dt \): 4.8 V/ns
    - 工作结温和存储温度范围 \( TJ, T{stg} \): -55 to +150 °C

    3. 产品特点和优势


    - 动态 dv/dt 评级: 具备高动态dv/dt评级,适用于快速切换的应用场景。
    - 重复雪崩评级: 重复雪崩额定值为4.5 A,5.2 mJ,可应对重复的高压瞬变。
    - 快速开关: 开关速度快,开关时间和延迟时间短。
    - 易于并联: 易于并联设计,提高了系统的可靠性和效率。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景: 该器件常用于电源转换器、电机驱动器和逆变器等应用。
    - 使用建议: 在使用过程中应注意门极驱动的设计,确保适当的门极电阻以防止过高的dv/dt导致的损坏。同时,需注意散热设计,保证器件在高温下的正常工作。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与大多数标准电路板兼容,特别是FR-4或G-10材料的电路板。
    - 厂商支持: VBsemi公司提供详尽的技术支持文档和专业咨询服务,帮助用户解决使用过程中的技术问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关损耗过高。
    - 解决办法: 确保使用适当尺寸的栅极电阻,优化门极驱动信号,减少开关过程中的振铃。

    - 问题: 过热问题。
    - 解决办法: 改善散热设计,使用散热片或风扇增强散热效果。

    7. 总结和推荐


    总体而言,这款Power MOSFET凭借其高可靠性、快速开关特性和良好的散热性能,在各种电力电子应用中表现出色。其优异的动态性能使其在高速切换应用中尤为适用。对于需要高性能和可靠性的应用场景,强烈推荐使用此产品。
    通过以上解析,我们不仅了解了该Power MOSFET的基本参数和技术优势,还对其应用场景和潜在问题有了深入理解。希望这些信息能帮助用户更好地选择和使用该产品。

K3462-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 4.5A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 640mΩ(mΩ)
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3462-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3462-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3462-VB K3462-VB数据手册

K3462-VB封装设计

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