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6R450E6-VB TO252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=650V;ID =11A;RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于太阳能逆变器、UPS逆变器等高压电源转换应用,提供稳定的功率转换和可靠的性能。
供应商型号: 6R450E6-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6R450E6-VB TO252

6R450E6-VB TO252概述

    电子元器件产品技术手册:N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    本文介绍了VBsemi公司的N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET(型号为6R450E6),这是一种高性能的场效应晶体管(FET)。这种功率MOSFET具有出色的开关特性和低损耗特性,适用于多种高要求的应用场景,如服务器电源、电信设备、开关模式电源、功率因数校正电源以及工业照明等领域。

    技术参数


    该MOSFET的技术参数如下所示:
    - 漏源电压 (VDS):最大650V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):最大0.42Ω(在VGS=10V,25°C时)
    - 总栅极电荷 (Qg):最大38nC
    - 栅源电荷 (Qgs):4nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):4.2nC
    - 绝对最大额定值:VDS为650V,VGS为±30V
    - 连续漏极电流 (ID):在VGS=10V时,25°C下可达11A,100°C下可达9.7A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):55A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):132mJ
    - 最大功耗 (PD):83W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C至+150°C
    - 热阻率 (RthJA):最大60°C/W
    - 阈值电压 (VGS(th)):2-4V
    - 输入电容 (Ciss):最大680pF(VGS=0V,VDS=100V)

    产品特点和优势


    - 低开关和导通损耗:由于其低的RDS(on)和Qg,这款MOSFET能够显著降低系统的整体能耗。
    - 优秀的高频性能:低输入电容使得它能够在高频应用中表现出色。
    - 高可靠性:其耐受高达132mJ的单次脉冲雪崩能量,适合极端环境下的使用。
    - 宽泛的工作温度范围:能够适应从-55°C到+150°C的极端温度条件。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET被广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源、功率因数校正电源和各类照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)中。为了充分发挥其性能,建议在设计电路时注意以下几点:
    - 合理的散热设计:确保在高电流和高温条件下能有效散热,避免过热。
    - 适当的驱动电路:利用低漏感和大面积接地平面的设计来减少电磁干扰,提高稳定性。

    兼容性和支持


    该MOSFET具有良好的兼容性,可以方便地替换市场上主流的同类产品。VBsemi公司提供了详细的技术文档和支持,包括设计指南、应用笔记和售后维护服务。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何选择合适的驱动电阻?
    A: 推荐使用9.1Ω左右的驱动电阻以获得最佳的开关速度。
    - Q: 遇到过温保护问题怎么办?
    A: 检查散热装置是否有效工作,必要时增加散热片或改进散热设计。

    总结和推荐


    综上所述,VBsemi的N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,特别适合在需要高效率和高可靠性的电力转换系统中使用。其低损耗特性、优异的频率响应以及宽广的工作温度范围使其成为各种高要求应用的理想选择。强烈推荐在相关项目中选用此产品。

6R450E6-VB TO252参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 370mΩ(mΩ)
通道数量 1
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 11A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

6R450E6-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6R450E6-VB TO252数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6R450E6-VB TO252 6R450E6-VB TO252数据手册

6R450E6-VB TO252封装设计

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