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H5N2512FL-M0-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。适用于高功率电子设备和模块,包括电源逆变器、高功率电机驱动器和电力供应系统等领域。TO220F;N沟道;VDS=250V;ID =40A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
供应商型号: H5N2512FL-M0-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) H5N2512FL-M0-VB

H5N2512FL-M0-VB概述

    H5N2512FL-M0-VB Power MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    H5N2512FL-M0-VB 是一款适用于多种应用的高压功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,适合用于高频逆变器、DC/DC 转换器、电机驱动器等电力电子设备。由于其出色的动态特性和高可靠性,这款 MOSFET 在工业、汽车和消费电子领域都有着广泛的应用前景。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 250 | V |
    | 源漏导通电阻 | RDS(on) | - | 0.040 | - | Ω |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | - | - | 25 | μA |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1300 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 430 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 130 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 70 | - | nC |
    | 门源电荷 | Qgs | - | 13 | - | nC |
    | 门极漏极电荷 | Qgd | - | 39 | - | nC |
    | 热阻抗(结到环境) | RthJA | - | 40 | - | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 环保材料:符合 IEC 61249-2-21 定义,无卤素设计。
    - 快速开关:动态 dv/dt 额定值高达 5.0 V/ns,适合高频应用。
    - 高可靠性和全雪崩额定值:能够承受反复雪崩脉冲,确保在极端条件下仍能正常工作。
    - 低温升:在 150°C 的高温环境下仍能稳定运行,适合恶劣环境。
    - RoHS 合规:符合 2002/95/EC 指令,不含铅等有害物质。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:H5N2512FL-M0-VB 广泛应用于电机驱动器、电源转换器和逆变器等电力电子系统中。例如,在电动车辆的充电器中,这种 MOSFET 可以提供高效的能量转换和可靠的过压保护。
    使用建议:为了确保最佳性能,建议使用低寄生电感和接地平面的电路布局。此外,注意控制门极驱动电压(VGS),避免过高电压导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:该产品可与其他标准的 TO-220 封装电子元件互换使用。制造商提供详细的技术支持和售后服务,确保客户能够获得全方位的服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致热失控 | 减少开关频率并确保散热良好 |
    | 导通电阻增加 | 检查门极驱动电压是否正确 |
    | 高频应用中电磁干扰严重 | 使用屏蔽线缆并优化电路布局 |

    7. 总结和推荐


    总结:H5N2512FL-M0-VB 是一款具备高性能、环保特性的高压功率 MOSFET。其低导通电阻、快速开关能力和高可靠性使其成为多种电力电子应用的理想选择。该产品特别适用于需要高效能量转换和高可靠性要求的应用场合。
    推荐:我们强烈推荐此产品用于各类电力电子系统,特别是在电机驱动、电源转换和逆变器等领域。无论是在工业自动化还是消费电子产品中,H5N2512FL-M0-VB 都能展现出卓越的表现。

H5N2512FL-M0-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 40A
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
配置 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ(mΩ)
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

H5N2512FL-M0-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

H5N2512FL-M0-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 H5N2512FL-M0-VB H5N2512FL-M0-VB数据手册

H5N2512FL-M0-VB封装设计

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