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IXFH30N60P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =20A;RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在工业自动化领域,可用于控制器、伺服驱动器和工业电源等设备,以实现高效能源转换和精确控制。
供应商型号: IXFH30N60P-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFH30N60P-VB

IXFH30N60P-VB概述


    产品简介


    IXFH30N60P-VB 是一款高性能的 N-Channel 超级结 MOSFET,具有 650V 的最大漏源电压。这种电子元器件广泛应用于各种电力转换系统中,如电信电源、照明系统(包括高强度放电灯和荧光灯)、消费电子产品、计算设备、工业焊接及电池充电装置,以及可再生能源系统中的太阳能逆变器和开关模式电源供应器(SMPS)。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):650V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.19Ω(在 25°C 和 VGS = 10V 下)
    - 总栅极电荷 (Qg):106nC(最大值)
    - 栅源电荷 (Qgs):14nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):33nC
    - 反向恢复时间 (trr):160ns(典型值)
    - 连续漏极电流 (ID):25°C 时 2A,100°C 时 13A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):367mJ
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    IXFH30N60P-VB 拥有多项技术优势,这些特性使其在市场上具备很强的竞争力。例如:
    - 低反向恢复时间 (trr) 和反向恢复电荷 (Qrr):这降低了开关过程中的损耗,提高了效率。
    - 低输出电容 (Coss):有助于减小电磁干扰。
    - 低阈值电压 (VGS(th)):使得器件更容易被驱动,降低了驱动电路的设计复杂度。
    - 高可靠性:能够承受高达 367mJ 的单脉冲雪崩能量。

    应用案例和使用建议


    应用案例:在电信服务器和电源供应器中,IXFH30N60P-VB 可以提高电源系统的转换效率;在照明系统中,特别是在需要高亮度的环境中,它可以减少功率损耗,延长使用寿命;在太阳能光伏逆变器中,它能提高整体系统效率。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需确保电路中的其他元件能承受其高电压和电流要求。
    - 为了降低 EMI 干扰,可以考虑在电路中添加滤波器。

    兼容性和支持


    IXFH30N60P-VB 符合 RoHS 和无卤素标准,适合环保需求较高的应用场合。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线资源和技术支持热线(400-655-8788),便于用户获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何选择合适的驱动电阻 (Rg)?
    - A:驱动电阻的选择直接影响到 MOSFET 的开关速度和功耗。一般推荐使用 9.1Ω 作为启动参考值,在实际应用中根据具体需求调整。

    - Q:如何降低反向恢复电荷 (Qrr)?
    - A:通过优化电路布局,减少杂散电感,可以显著降低反向恢复电荷的影响。

    总结和推荐


    综上所述,IXFH30N60P-VB 凭借其优秀的电气特性和广泛的适用性,成为众多电力转换应用中的理想选择。尤其适用于需要高效能和高可靠性的场合。对于需要高性能 MOSFET 的设计工程师而言,这款产品是一个值得推荐的选择。

IXFH30N60P-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFH30N60P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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IXFH30N60P-VB封装设计

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