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VBFB18R07S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO251;N沟道;VDS=800V;ID =7A;RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在工业领域,该器件可用于设计工业电源模块,以满足工厂和设备对于高电压和高功率的需求。
供应商型号: VBFB18R07S TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBFB18R07S

VBFB18R07S概述


    产品简介


    产品类型与主要功能
    VBM18R07S/VBMB18R07S 和 VBE18R07S/VBFB18R07S 是来自 VBsemi 的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件采用 N 沟道设计,广泛应用于高效率的电源转换系统中。其独特的设计使其具有低导通电阻、低输入电容以及低栅极电荷的特点,能够显著减少开关损耗和传导损耗。
    应用领域
    这些 MOSFET 主要用于多种应用场景,包括但不限于:
    - 服务器和电信电源供应
    - 开关模式电源供应(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应(PFC)
    - 照明(如高强度放电灯 HID 和荧光灯)
    - 工业控制和自动化系统

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 漏源电压 \( V{DS} \) | 800 V |
    | 最大漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \) | 0.85 Ω @ 25°C |
    | 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \) | 2 ~ 4 V |
    | 有效输出电容 \( C{oss} \) | - |
    | 总栅极电荷 \( Qg \) | - |
    | 最大漏极电流 \( ID \) | 5.9 A @ 100°C |
    | 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \) | 250 mJ |
    | 反向恢复时间 \( t{rr} \) | 192 ns |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:栅极电荷 \( Qg \) 很低,可以提高电路的切换速度并减少能耗。
    2. 低输入电容:低输入电容 \( C{iss} \) 有助于提高系统整体效率。
    3. 低传导损耗:在高电流条件下,低导通电阻 \( R{DS(on)} \) 可显著减少功耗。
    4. 快速开关:快速开关特性使得这些器件非常适合高频开关应用。
    5. 可靠性和稳定性:其宽工作温度范围和高可靠性确保了长时间稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    在服务器电源供应系统中,这些 MOSFET 能够有效降低功率损耗,提高电源效率。特别是在高功率密度的 SMPS 中,这些器件的低导通电阻和低输入电容特性能够显著提升系统的整体性能。
    使用建议
    - 在高功率应用中,选择合适的散热方案以保持器件的工作温度在安全范围内。
    - 确保驱动信号的上升沿时间足够短,以充分利用器件的低栅极电荷特性,进一步提高效率。
    - 为防止过热,建议使用散热片或风扇进行强制冷却。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 与标准的 TO-220AB、TO-252 和 TO-251 封装兼容,易于安装和集成到现有电路中。厂商提供了详细的安装指南和技术支持,确保用户能够快速上手和顺利部署。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不足导致性能下降 | 使用更大散热面积的散热片或增加冷却风扇 |
    | 开关损耗过高 | 减小驱动电阻 \( RG \),加快开关速度 |
    | 高温环境下工作时性能下降 | 使用更大散热片或液体冷却系统 |

    总结和推荐


    总体而言,VBM18R07S/VBMB18R07S 和 VBE18R07S/VBFB18R07S MOSFET 在性能上表现出色,特别适合在高效率电源转换应用中使用。其低导通电阻和低栅极电荷特性,能够在保持高性能的同时实现更低的功耗。因此,对于需要高效能且稳定的电源管理解决方案的用户,我们强烈推荐使用这些 MOSFET。

VBFB18R07S参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 800V
Rds(On)-漏源导通电阻 850mΩ(mΩ)
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
长*宽*高 11.8mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBFB18R07S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBFB18R07S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBFB18R07S VBFB18R07S数据手册

VBFB18R07S封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 4.9667
4000+ ¥ 4.7507
库存: 400000
起订量: 10 增量: 4000
交货地:
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