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VBL2606

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;P沟道;VDS=-60V;ID =-120A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=7mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-3V;可用于风力发电控制模块中的功率调节和电流控制,提高发电系统的效率和稳定性。
供应商型号: VBL2606 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL2606

VBL2606概述


    产品简介


    P-Channel 60V MOSFET
    P-Channel 60V MOSFET(VBL2606)是一种高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用先进的沟槽结构制造。这种器件主要应用于各种电源管理和开关控制场景,如直流电机驱动、电源逆变器及各类电池管理系统。由于其出色的电气特性和高可靠性,它非常适合用于工业自动化、汽车电子以及消费电子产品中。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压 \(V{DS}\):-60V
    - 最大漏源击穿电压 \(V{(BR)DSS}\):-60V @ \(ID\) = -250μA
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 \(ID\):-120A @ \(TJ\) = 25℃
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\):-350A
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\):-75A
    - 雪崩能量 \(E{AS}\):281mJ
    - 电阻参数
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):\(V{GS} = -10V\), \(ID = -30A\) 时为 0.0050Ω
    - 温度参数
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 热阻参数
    - 结到环境热阻 \(R{thJA}\):40°C/W @ PCB 安装
    - 结到外壳热阻 \(R{thJC}\):0.4°C/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: 具有非常低的 \(R{DS(on)}\)(仅为 0.0050Ω),有助于减少能耗并提高效率。
    - 高耐压能力: 60V 的漏源电压,适用于多种高压环境。
    - 高电流承载能力: 能承受高达 350A 的脉冲电流,适用于需要瞬间高电流的应用场景。
    - 宽工作温度范围: -55°C 至 +175°C,确保在极端环境中仍能稳定工作。
    - 高可靠性: 采用先进的沟槽结构,增强机械强度和电气稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 直流电机控制:由于其高电流能力和快速响应特性,可用于直流电机的控制和调速。
    - 电源逆变器:利用其低导通电阻和高耐压能力,可以在高压逆变器系统中发挥重要作用。
    - 电池管理系统:作为开关元件,可以用于充电管理和放电保护。
    - 使用建议:
    - 在使用过程中注意散热,合理设计散热片以防止过热。
    - 配合相应的栅极驱动电路,确保栅极驱动电压合适,避免驱动不足或过度导致的损坏。
    - 在高功率应用中,建议使用适当的滤波器来减少开关噪声。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 本产品可与多种电源管理系统兼容,可用于各类工业控制器、电源模块中。
    - 技术支持: 制造商提供详细的规格书和技术文档,以及在线技术支持和售后服务热线(400-655-8788)。同时,制造商还提供了详细的电路图和参考设计,帮助用户快速集成。

    常见问题与解决方案


    - 问题一: 为什么该器件的漏源击穿电压只有 -60V?
    - 解答: 由于该器件设计为 P-Channel 类型,其标称电压为 -60V,这符合其应用场景的需求。

    - 问题二: 如何正确选择栅极驱动电压?
    - 解答: 确保栅极驱动电压高于阈值电压 \(V{GS(th)}\),通常为 -1V 至 -3V。如果驱动电压低于阈值电压,则器件可能无法完全导通,从而增加损耗。

    总结和推荐


    总体来看,VBL2606 是一款高性价比且多功能的 P-Channel 60V MOSFET,具有出色的导通电阻、电流承载能力和宽广的工作温度范围。对于需要高压、大电流控制的工业和消费电子产品而言,这款 MOSFET 可以说是最佳选择之一。此外,制造商提供的完善的技术支持和详细的文档也使得该器件成为市场上的佼佼者。因此,我强烈推荐此款产品用于各种高压控制和电源管理场景。

VBL2606参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
FET类型 2个P沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 120A
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL2606厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL2606数据手册

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VBL2606封装设计

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