处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFZ44NL-VB

IRFZ44NL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=60V;ID =60A;RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V; 在工业自动化领域,该产品可用于变频器、电机控制器和PLC等模块,提高系统的运行效率和精确度。
供应商型号: IRFZ44NL-VB TO262
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFZ44NL-VB

IRFZ44NL-VB概述

    IRFZ44NL-VB Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRFZ44NL-VB是一款来自VBsemi公司的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Power MOSFET)。它采用先进的工艺技术制造,适用于各种电力电子应用,如开关电源、电动车辆驱动系统及电机控制等领域。其额定电压为60V,具有较低的导通电阻,保证了高效的电流传输性能。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压(VDS):60V
    - 额定电流:在TJ=10℃时,最大连续漏极电流(ID)为60A;在TJ=100℃时,最大连续漏极电流(ID)降为50A。
    - 脉冲漏极电流(IDM):290A
    - 热阻:最大结到环境热阻(RthJA)为40℃/W;最大结到外壳热阻(RthJC)为0.8℃/W。
    - 性能参数:
    - 阈值电压(VGS(th)):1.5至3.0V
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS=10V,ID=15A时,RDS(on)典型值为0.015Ω。
    - 输入电容(Ciss):3500pF(在VGS=0V,VDS=25V条件下)
    - 输出电容(Coss):1300pF
    - 反向传输电容(Crss):190pF
    - 门极总电荷(Qg):最大值为110nC
    - 门极源极电荷(Qgs):最大值为29nC
    - 门极漏极电荷(Qgd):最大值为36nC
    - 开启延时时间(td(on)):典型值为8ns
    - 关闭延时时间(td(off)):最大值为210ns
    - 下降时间(tf):最大值为250ns
    - 内部源极电感(LS):最大值为7.5nH

    产品特点和优势


    IRFZ44NL-VB具有多项技术优势:
    - 高温工作能力:可在高达175℃的环境中稳定运行,增强了其在恶劣条件下的可靠性。
    - 快速开关:由于其低导通电阻和高电流承载能力,IRFZ44NL-VB能实现高效快速的开关转换,提高系统的效率。
    - 优秀的温度系数:阈值电压的温度系数较低,保证了其在不同温度下都能保持良好的性能。
    - 强大的耐用性:通过测试验证,它能承受高达100mJ的雪崩能量,确保了其在短路等极端情况下的安全性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    IRFZ44NL-VB广泛应用于多种电子电路设计中,例如开关电源的初级侧驱动,马达控制单元以及汽车电子的逆变器模块。具体实例包括:
    - 在开关电源设计中,可以利用其高效的电流传输能力和快速的开关性能,以实现更小的体积和更高的功率密度。
    - 在电动车的电机控制系统中,能够提供强大的驱动能力和可靠的工作环境适应性,增强车辆的性能和耐久性。
    使用建议:
    - 在高功率密度的应用中,考虑到散热问题,合理选择散热器并设计散热路径。
    - 在驱动电路设计中,根据其开关特性和门极电荷要求,选择合适的驱动电路参数,确保可靠的开关操作。

    兼容性和支持


    IRFZ44NL-VB与VBsemi公司其他电子元器件和系统高度兼容,可方便地集成到现有设计中。制造商提供详细的技术文档和持续的技术支持,确保客户能够充分利用产品的优势。此外,对于常见问题的处理方法也提供了明确的指导。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何确保IRFZ44NL-VB能够在高温环境下正常工作?
    - A: 在使用过程中,确保设备的工作温度不超过175℃。在需要的情况下,可增加外部散热措施来帮助降低设备内部温度。
    - Q:在高速开关应用中,如何避免栅极振荡现象的发生?
    - A: 在设计驱动电路时,应选择适当的栅极电阻,以防止快速的电压变化引起栅极电容的充放电过快。同时,尽量缩短驱动信号走线,减少寄生电感的影响。
    - Q:设备如何应对瞬态过压的情况?
    - A: 使用TVS二极管或钳位二极管来吸收瞬态电压,保护IRFZ44NL-VB不受损害。

    总结和推荐


    总体而言,IRFZ44NL-VB凭借其出色的性能和广泛的适用性,是一款值得在现代电力电子系统设计中考虑的优秀产品。它的高效、耐用及易于集成的特点使其成为众多应用的理想选择。强烈推荐此产品给那些寻求高性能、可靠且易用的N沟道功率MOSFET的设计工程师。

IRFZ44NL-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ(mΩ)
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 60A
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 3.2mm*3.2mm*800μm
通用封装 TO-262
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFZ44NL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFZ44NL-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFZ44NL-VB IRFZ44NL-VB数据手册

IRFZ44NL-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
1000+ ¥ 2.4839
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336