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K34A10N1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=100V;ID =120A;RDS(ON)=3.7mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于需要处理高电压和高电流的应用领域,包括电动车电源控制模块、工业电源模块、电动工具控制模块和太阳能逆变器模块等,在这些模块中能够发挥出良好的性能和稳定性。
供应商型号: K34A10N1-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K34A10N1-VB

K34A10N1-VB概述

    K34A10N1-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    K34A10N1-VB 是一款由VBsemi生产的N沟道MOSFET,具有100V的耐压能力(漏源极间),能够在高达175°C的温度下工作。这款MOSFET被广泛应用于需要高效开关、低损耗的应用场景中,如电源转换、电机驱动、照明系统及通信设备等。

    2. 技术参数


    - 漏源电压 (VDS):100V
    - 导通电阻 (RDS(on)):在VGS=10V时为0.0038Ω
    - 连续漏电流 (ID):120A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):480A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):73A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):266mJ
    - 最大功率耗散 (PD):84W(在TC=125°C)
    - 工作温度范围:-55°C至+175°C
    - 热阻(结到环境):40°C/W(PCB安装时)

    3. 产品特点和优势


    K34A10N1-VB 的关键特点在于其高性能的TrenchFET®技术,这使得它具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。此外,其封装设计提供了低热阻,确保在高功率操作时能有效散热。这些特点使得它在恶劣环境下也能稳定运行,同时具备出色的电气特性和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源转换器:利用其低导通电阻特性减少发热,提高效率。
    - 电机驱动:适用于各种直流电动机的驱动控制,提升系统的整体性能。
    - 通信设备:在高频信号处理和电源管理中表现出色。
    使用建议:建议在电路设计时考虑到其最大功率耗散和工作温度范围,以避免因过热导致的损坏。此外,确保电路板的散热设计合理,尤其是在高负载条件下使用时。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:K34A10N1-VB 与标准的TO-220 FULLPAK封装兼容,便于集成到现有设计中。
    - 支持和服务:提供官方技术支持热线400-655-8788,可随时咨询有关产品使用和技术问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间使用后发现温度过高。
    解决办法:检查散热系统是否正常工作,增加散热片或者改进散热设计。
    - 问题2:出现雪崩击穿现象。
    解决办法:确认电路设计中不存在可能导致雪崩击穿的条件,如过高的输入电压或瞬态电流。

    7. 总结和推荐


    K34A10N1-VB N-Channel MOSFET是一款高度可靠且高效的电子元件,适合多种高要求应用场景。其优异的导电性能、宽广的工作温度范围以及强大的电气特性使其在市场上具有显著的竞争优势。建议在高功率和高温环境下优先选择此产品,以实现最佳的性能和稳定性。
    总的来说,K34A10N1-VB 是一款值得推荐的产品,无论是从性能还是可靠性方面都能满足大部分应用需求。

K34A10N1-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 120A
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.7mΩ(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K34A10N1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K34A10N1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K34A10N1-VB K34A10N1-VB数据手册

K34A10N1-VB封装设计

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