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IXFR58N20Q-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=200V;ID =96A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=4V;适用于工业电机驱动器中的功率开关电路,如变频器、电机控制器等设备的电源管理模块。
供应商型号: IXFR58N20Q-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFR58N20Q-VB

IXFR58N20Q-VB概述

    IXFR58N20Q-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IXFR58N20Q-VB 是一款由VBsemi生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有200V的漏极-源极电压耐受能力和高达175℃的工作温度。这款产品因其独特的ThunderFET® 技术而备受瞩目,适用于多种电源转换及驱动应用。

    技术参数


    | 参数 | 描述 | 值 |
    |
    | 最大漏极-源极电压 | VDS (漏极-源极电压) | 200V |
    | 最大栅极-源极电压 | VGS (栅极-源极电压) | ±20V |
    | 最大连续漏极电流 | ID (最大连续漏极电流) | 96A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM (最大脉冲漏极电流) | 240A |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) (漏源导通电阻) | 0.021Ω (VGS=10V, ID=30A)
    0.025Ω (VGS=7.5V, ID=30A) |
    | 最大热耗散功率 | PD (最大热耗散功率) | 375W (TC=25℃)
    125W (TC=125℃) |
    | 结温范围 | TJ (结温范围) | -55℃ ~ 175℃ |
    | 热阻率 | RthJA (结点到环境热阻率) | 40°C/W |

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:具备最高175℃的结温,适合严苛环境下的稳定运行。
    2. 高耐压性:漏极-源极电压达200V,适用于多种高压应用场合。
    3. 快速响应:具有优秀的动态特性和低阈值电压,提升系统整体效率。
    4. 低导通损耗:低至0.021Ω的RDS(on),确保在工作状态下能效出色。
    5. 安全工作区:内置多重保护机制,如UIS(雪崩)测试,保证长期稳定性。

    应用案例和使用建议


    1. 不间断电源(UPS):适用于不间断电源系统,确保供电的持续性和可靠性。
    2. AC/DC开关电源:适用于要求高效转换的应用,例如消费电子设备的电源管理。
    3. 电机驱动:特别适合于电动机控制,可以提供高效的电力输出。
    4. 太阳能微型逆变器:在太阳能发电系统中,提高能量转换效率。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑散热问题,选择合适的散热方案,以确保器件在高温环境下仍能保持稳定性能。
    - 针对不同的应用,应调整栅极驱动信号,以优化导通速度和开关损耗之间的平衡。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与大多数标准PCB设计兼容,易于集成。
    - 支持:提供详细的技术手册和在线支持,确保用户能够快速解决问题并优化应用。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何处理过高的热应力?
    - A:通过增加散热片或者选择更低RthJA的封装方式来减少热应力。
    2. Q:怎样选择合适的栅极驱动信号?
    - A:根据具体应用需求,调节VGS的电压水平,以达到最佳的开关速度和导通电阻平衡。
    3. Q:遇到器件失效的情况怎么办?
    - A:首先检查是否有过度过载情况发生,如过电压或过电流;其次确认安装和接线是否正确无误。

    总结和推荐


    IXFR58N20Q-VB作为一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其卓越的热稳定性和出色的动态特性,在多种工业应用中表现出色。对于需要高效电能转换的场合,该产品是理想的选择。无论是设计工程师还是最终用户,都会对其在实际应用中的表现感到满意。强烈推荐给那些需要高性能、高可靠性的电力电子应用项目。

IXFR58N20Q-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 200V
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 96A
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
Rds(On)-漏源导通电阻 21mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFR58N20Q-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFR58N20Q-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFR58N20Q-VB IXFR58N20Q-VB数据手册

IXFR58N20Q-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 12.2257
900+ ¥ 11.6941
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