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J409S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;P沟道;VDS=-100V;ID =-37A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=50mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;适用于电源、电动车辆和工业控制等多个领域和模块,为各类应用提供稳定可靠的电源和控制解决方案。
供应商型号: J409S-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J409S-VB

J409S-VB概述

    J409S-VB P-Channel 100V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    J409S-VB 是一款P沟道100V耐压(漏极-源极)的MOSFET晶体管,采用TrenchFET®工艺制造。这款产品适用于各种电子设备中,特别是在需要高效率、低损耗的应用场合,如开关电源、电机驱动、逆变器等。

    2. 技术参数


    - 基本电气参数
    - 漏源电压 (VDS):-100V
    - 连续漏极电流 (ID):-37A (TJ = 25°C),-29.5A (TJ = 70°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):-150A
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):-1μA (VDS = -100V, VGS = 0V, TJ = 55°C)
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss):3800pF (VDS = -50V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss):185pF (VDS = -50V, VGS = -10V)
    - 反向传输电容 (Crss):135pF (VDS = -50V, VGS = -10V)
    - 热特性
    - 结点到环境热阻 (RthJA):40°C/W
    - 结点到外壳热阻 (RthJC):2.1°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:J409S-VB具备较高的耐压能力和强电流处理能力,确保在恶劣条件下也能稳定运行。
    - 低导通电阻:在典型工作条件下,RDS(on)仅为0.040Ω(VGS = -10V),保证了较低的功耗。
    - 高速开关性能:该MOSFET具有快速的开关时间(td(on), td(off) < 200ns),适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 开关电源:J409S-VB的高耐压和低RDS(on)特性使其成为高效开关电源的理想选择。
    - 电机驱动:在电机驱动电路中,它能提供高效的电流通断控制。

    - 使用建议:
    - 在设计电路时,建议将散热设计纳入考虑范围,以避免过热现象。可选用适当的散热片或散热器来提升散热效果。
    - 对于脉冲负载应用,应确保瞬态电流不会超过IDM的最大值,以防止器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:J409S-VB采用D2PAK封装,便于在多种电路板上安装和使用。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和技术支持,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下运行时,MOSFET温度过高。
    - 解决方案:增加散热片或者使用更好的散热材料,如导热膏或散热硅胶。
    - 问题2:设备运行中出现异常噪声。
    - 解决方案:检查电路布局,确保信号线与电源线保持一定距离,减少电磁干扰。

    7. 总结和推荐


    综上所述,J409S-VB是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET。其低RDS(on)、高耐压、快速开关性能等特点,使得它在多种应用中表现优异。特别适用于要求高效率、低损耗的应用场景。因此,强烈推荐在相关项目中选用此款产品。

J409S-VB参数

参数
FET类型 2个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ(mΩ)
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 37A
配置 -
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J409S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J409S-VB数据手册

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J409S-VB封装设计

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