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IXTR36P15P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;P沟道;VDS=-100V;ID =-21A;RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=240mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;用于需要承受高电压和高功率的场合,如工业变频器中的逆变器模块、太阳能逆变器等。
供应商型号: IXTR36P15P-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTR36P15P-VB

IXTR36P15P-VB概述


    产品简介


    IXTR36P15P-VB 是一款高性能P沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于多种高可靠性应用。其主要功能包括动态dv/dt等级、重复雪崩额定值以及快速开关能力,使其特别适合于需要高效率和稳定性的应用场合。IXTR36P15P-VB 具备高耐热能力和低导通电阻,适用于汽车、工业控制、电源管理等多个领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - 100 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 | - | ± 20 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | - 21 | - | - 15 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - 84 | - | - | A |
    | 雪崩能量 | EAS | - | - | 960 | mJ |
    | 反复雪崩电流 | IAR | - 21 | - | - | A |
    | 反复雪崩能量 | EAR | - | - | 18 | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | - | - | 180 | W |
    | 最高工作温度 | TJ | - 55 | - | + 175 | °C |

    产品特点和优势


    1. 动态dv/dt等级:IXTR36P15P-VB具备高动态dv/dt评级,能够在高压条件下实现稳定运行。
    2. 重复雪崩额定值:产品具备优秀的雪崩性能,能够在极端条件下保持可靠运行。
    3. P-通道设计:适用于多种高电压电路。
    4. 高工作温度范围:最高工作温度可达175°C,适用于高温环境。
    5. 快速开关:快速开关性能,可提高系统效率。
    6. 易并联操作:易于与其他器件并联使用,提高系统灵活性。
    7. RoHS合规:符合环保标准,无铅化生产。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 汽车电子:适用于电动车窗、仪表板控制器等。
    2. 工业控制:可用于电动机驱动器、电源转换模块等。
    3. 电源管理:广泛应用于各种开关电源和逆变器中。
    使用建议
    1. 电路设计:考虑低杂散电感设计,以降低信号延迟。
    2. 散热设计:确保良好的散热,特别是在高温环境下。
    3. 并联使用:为了进一步提升电流承载能力,可以采用多管并联的方式。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXTR36P15P-VB 与其他P沟道MOSFET在电气特性上基本兼容,但具体型号差异需根据应用需求确认。
    - 支持和服务:厂商提供全面的技术支持,包括在线文档、邮件咨询、电话支持等。客户可以访问官方网站获取更多技术资料。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 导通电阻异常增加 | 检查是否有杂质污染,清洗电路板 |
    | 开关时间延长 | 优化电路布局,减少杂散电感 |
    | 发热严重 | 改善散热措施,增大散热片面积或改进风道设计|

    总结和推荐


    IXTR36P15P-VB 功率MOSFET凭借其高动态dv/dt评级、高重复雪崩额定值及优秀的高温工作能力,非常适合于汽车、工业控制等领域。其快速开关性能有助于提高系统的整体效率和稳定性。总的来说,IXTR36P15P-VB 是一款性能优异的产品,强烈推荐给对可靠性要求较高的应用场景。

IXTR36P15P-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 21A
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
FET类型 2个P沟道
通道数量 1
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTR36P15P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTR36P15P-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXTR36P15P-VB IXTR36P15P-VB数据手册

IXTR36P15P-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
900+ ¥ 4.9667
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