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K1169-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于LED照明产品中的控制器模块,提供LED灯珠所需的电力输出。
供应商型号: K1169-VB TO-3PF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1169-VB

K1169-VB概述

    # K1169-VB N-Channel 600 V (D-S) Super Junction MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K1169-VB 是一款 N-Channel 600V 超级结场效应晶体管(Super Junction MOSFET)。作为高性能电子元器件,它主要用于电信电源、照明系统、消费电子产品、工业焊接设备及太阳能光伏逆变器等领域。该产品以其低栅极电荷(Qg)和低反向恢复时间(trr)而闻名,特别适合高频率和高效能的应用场景。

    技术参数


    以下是 K1169-VB 的关键技术参数:
    - 额定电压 (VDS):600V
    - 最大工作温度 (TJ):150°C
    - 典型导通电阻 (RDS(on)):0.19Ω(在 25°C 下,VGS=10V)
    - 最大栅源电压 (VGS):±30V
    - 最大连续漏电流 (ID):13A(TC=100°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):367mJ
    - 绝对最大额定功率 (PD):208W
    - 封装形式:TO-3P
    - 热阻(θJA):62°C/W
    - 输入电容 (Ciss):2322pF(在 VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz 下)
    - 总栅极电荷 (Qg):71nC(最大值)

    产品特点和优势


    K1169-VB 主要具备以下优势:
    - 低开关损耗:通过降低反向恢复时间和栅极电荷,显著减少开关过程中的能量损失。
    - 高效率:具有较低的导通电阻(RDS(on)),可有效降低功耗,提高转换效率。
    - 快速开关性能:具有超低的栅极电荷(Qg),从而实现更快的开关速度。
    - 耐用性:经过严格的雪崩测试(UIS),具有良好的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信设备:用于服务器和电信电源系统。
    - 照明系统:适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器。
    - 消费和计算设备:如 ATX 电源供应器。
    - 工业设备:用于焊接设备和电池充电器。
    - 可再生能源系统:如太阳能光伏逆变器。
    - 开关模式电源供应器(SMPS):适用于各类直流到直流变换器。
    使用建议
    - 散热管理:确保适当的散热措施以保持器件在安全的工作温度范围内运行。
    - 驱动电路设计:考虑到栅极电荷较低的特点,合理设计驱动电路以优化开关性能。
    - 电路布局:尽量减少杂散电感,以避免在快速开关过程中产生过压现象。

    兼容性和支持


    K1169-VB 与市场上主流的电子元器件和设备具有良好的兼容性,适用于各种常见的应用场合。厂商提供了详尽的技术支持文档和售后服务,确保客户能够充分利用该器件的优势。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何选择合适的栅极驱动电压?
    - 解决方案:根据器件的数据表推荐值选择合适的栅极驱动电压。通常情况下,VGS = 10V 能够提供最佳的开关性能。
    2. 器件在高温下的性能如何?
    - 解决方案:确保器件工作在制造商规定的温度范围内。对于极端高温应用,需采取额外的散热措施。
    3. 如何处理反向恢复问题?
    - 解决方案:选用具有低反向恢复时间和低栅极电荷的 MOSFET 可显著减少此类问题。同时,合理的电路设计也可以减小反向恢复带来的负面影响。

    总结和推荐


    总体来看,K1169-VB N-Channel 600V 超级结场效应晶体管凭借其出色的开关性能、低损耗和高可靠性,在多个应用领域表现出色。它的多功能性和优异的性能使其成为各类电力电子系统的理想选择。因此,强烈推荐将此产品应用于需要高效能和低损耗的场合。

K1169-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 600V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 20A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1169-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1169-VB数据手册

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K1169-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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