处理中...

首页  >  产品百科  >  K1920-TL-VB

K1920-TL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=250V;ID =17A;RDS(ON)=176mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;适用于中高功率电子设备和模块,包括电源转换器、电动机控制器和高功率LED驱动器等领域。
供应商型号: K1920-TL-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1920-TL-VB

K1920-TL-VB概述

    K1920-TL N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    K1920-TL 是一款高性能的 N-通道 MOSFET,设计用于需要高动态性能和快速开关的应用。它的主要功能包括动态 dV/dt 额定值、重复雪崩额定值、快速开关、易于并联以及简单的驱动需求。该器件广泛应用于电源转换、电机控制、工业自动化、LED照明等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 250 | - | - | V |
    | 门极-源极阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 源漏二极管电流 | IS | - | - | 14 | A |
    | 最大脉冲雪崩能量 | EAS | - | 550 | - | mJ |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    K1920-TL 的主要特点是其出色的动态 dV/dt 额定值、快速开关和易于并联的特性。这些特性使其特别适合在高频和高动态应用中使用。此外,其简单的驱动要求降低了系统的复杂度和成本。与其他同类产品相比,K1920-TL 在性能和可靠性方面具有明显的优势,特别是在高功率密度应用中。

    应用案例和使用建议


    K1920-TL 常用于电机驱动和电源转换电路中。例如,在一个典型的电机驱动应用中,K1920-TL 可以用作桥式逆变器中的开关元件,实现高效、可靠的电能转换。为了获得最佳性能,建议使用低杂散电感的布局设计,并确保良好的接地平面。此外,由于其重复雪崩额定值较高,可以承受较大的瞬态电压,因此适用于高动态环境。

    兼容性和支持


    K1920-TL 与其他标准 N-通道 MOSFET 和常见的驱动电路兼容。制造商提供全面的技术支持,包括详细的电路设计指南、应用笔记和在线技术支持。用户还可以通过客户服务热线(400-655-8788)获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | :: | :: |
    | 开关频率过高导致过热 | 确保散热良好,降低工作频率或增加散热片。 |
    | 电路稳定性不佳 | 检查门极电阻值,确保合适的驱动条件。 |
    | 过载保护失效 | 使用适当的过流保护器件,并确保正确设置过流保护阈值。 |

    总结和推荐


    K1920-TL N-Channel MOSFET 是一款性能卓越的电子元件,具备出色的动态性能和快速开关特性。其简单易用的设计使其成为众多应用的理想选择。无论是从技术性能还是市场竞争力的角度来看,K1920-TL 都是一款值得推荐的产品。我们强烈建议在需要高动态性能和可靠性的应用场景中考虑使用此产品。

K1920-TL-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 17A
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 250V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 176mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1920-TL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1920-TL-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1920-TL-VB K1920-TL-VB数据手册

K1920-TL-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336