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ZVN4525ZTA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOT89;N沟道;VDS=200V;ID =1A;RDS(ON)=1600mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;一款单N型场效应晶体管产品,适用于需要低功率和小尺寸的应用领域,包括但不限于低功率电源模块、传感器接口、医疗电子和通信设备等。
供应商型号: ZVN4525ZTA-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZVN4525ZTA-VB

ZVN4525ZTA-VB概述

    ZVN4525ZTA N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    ZVN4525ZTA 是一款高性能的 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率和低损耗的应用设计。这款 MOSFET 具有出色的动态 dv/dt 额定值、重复雪崩额定值、快速开关特性、并联容易等特点,适用于各种电力电子系统,如电源转换器、电机驱动器及通信设备等。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS):200 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏电流 (ID):25 °C 下 1.0 A;100 °C 下 0.6 A
    - 脉冲漏电流 (IDM):3.7 A
    - 最大功率耗散 (PD):25 °C 下 3.1 W;PCB 安装下 2.0 W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):50 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):0.96 A
    - 重复雪崩能量 (EAR):0.31 mJ
    - 峰值二极管恢复电压 (dV/dt):5.0 V/ns
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55 到 +150 °C
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS):200 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.0 - 4.0 V
    - 零栅电压漏电流 (IDSS):- 25 μA (VDS = 200 V)
    - 导通电阻 (RDS(on)):10 V 下 1.6 Ω
    - 输入电容 (Ciss):140 pF
    - 输出电容 (Coss):53 pF
    - 反向传输电容 (Crss):15 pF
    - 总栅电荷 (Qg):8.2 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):1.8 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):4.5 nC
    - 动态特性
    - 开启动态时间 (td(on)):8.2 ns
    - 上升时间 (tr):17 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):14 ns
    - 下降时间 (tf):8.9 ns
    - 内部漏电感 (LD):4.0 nH
    - 内部源电感 (LS):6.0 nH

    产品特点和优势


    1. 动态 dv/dt 额定值:能够承受高的瞬态电压变化率。
    2. 重复雪崩额定值:在高能条件下具有出色的可靠性。
    3. 快速开关:有助于降低开关损耗,提高效率。
    4. 并联容易:易于实现多芯片并联,提升大电流应用能力。
    5. 简单驱动要求:减少外部电路复杂度,降低成本。

    应用案例和使用建议


    ZVN4525ZTA 广泛应用于电力转换器、逆变器、电机驱动器等领域。例如,在电机驱动器中,它的快速开关特性和低导通电阻使其能够在高频率下运行,从而减小了系统的体积和重量。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到 MOSFET 的开关速度,应合理选择栅极驱动电阻以优化开关时间和减少电磁干扰。
    - 在高温环境下使用时,确保 MOSFET 的散热良好,避免因温度过高而导致损坏。

    兼容性和支持


    ZVN4525ZTA 支持标准的 SOT89 封装,易于集成到现有设计中。厂商提供详细的技术文档和支持,帮助用户解决应用过程中的问题。如有需要,可以通过官网或服务热线获得进一步的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 在高电流下过热。
    - 解决方案:检查散热片的设计是否足够大,增加散热面积或改进散热机制。

    2. 问题:开关速度慢导致效率低下。
    - 解决方案:优化栅极驱动电阻,以加快开关速度。

    3. 问题:在高电压下失效。
    - 解决方案:确认所选 MOSFET 是否符合电压要求,必要时更换更高耐压的型号。

    总结和推荐


    ZVN4525ZTA N-Channel MOSFET 在性能、可靠性和成本方面表现出色,非常适合多种电力电子应用。其快速开关、低导通电阻、易于并联等特性使其成为高性能电力转换系统的核心组件。强烈推荐在需要高效率和低损耗的应用中使用此款 MOSFET。

ZVN4525ZTA-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.6Ω(mΩ)
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 1A
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 1
长*宽*高 4.2mm*4.6mm*1.6mm
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZVN4525ZTA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZVN4525ZTA-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZVN4525ZTA-VB ZVN4525ZTA-VB数据手册

ZVN4525ZTA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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